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[期刊论文] 作者：吴渊渊,
来源：石油石化物资采购 年份：2019
在建设项目实施过程中,要重点做好项目中的给排水工作,这对人民生活有直接影响。市政给排水管道系统直接影响城市的发展和建设,甚至影响居民的正常生活。为了进一步提高市政...
[期刊论文] 作者：吴渊渊,,
来源：中国劳动保障 年份：2006
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[期刊论文] 作者：吴渊渊,
来源：中国人力资源社会保障 年份：2005
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[期刊论文] 作者：吴渊渊,
来源：中国人力资源社会保障 年份：2005
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[期刊论文] 作者：吴渊渊,
来源：中国人力资源社会保障 年份：2007
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[期刊论文] 作者：吴渊渊,
来源：中国人力资源社会保障 年份：2003
【正】 秋高气爽,云淡风清,沿京广线从北京到郑州再到长沙采访当地企业退休人员社会化管理工作情况,一路走来,感受最深的莫过于一个“情”字。几乎每一位从事这项工作的基层...
[期刊论文] 作者：吴渊渊,
来源：中国人力资源社会保障 年份：2003
【正】 (一) 这几年,劳动保障部宣传工作取得长足的进展,对推进劳动保障事业发展发挥了重要的作用。几年来的劳动保障宣传工作具有5个鲜明特征: 一是领导越来越重视。每当国...
[期刊论文] 作者：吴渊渊,
来源：中国人力资源社会保障 年份：2003
【正】 去年的全国劳动和社会保障工作会议提出了今年劳动保障工作的基本思路,即“一个主题,二大任务,两项工程”。为借鉴各地落实一三二的经验,推动劳动保障工作的全面开展,...
[学位论文] 作者：吴渊渊,
来源：中国科学院大学 年份：2013
目前，Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料因其优异的特性引起了全世界关注。其中可覆盖光谱范围354nm～1720nm的InxGa1-xN材料，在高效率太阳能电池等方面具有广阔的应用前景。尤其是带隙位...
[期刊论文] 作者：杨燕绥, 吴渊渊,,
来源：中国社会保障 年份：2008
社会保险经办机构处于社会保障事业发展的第一线,面对日益艰巨的新任务和行政管理体制变革的新形势,在服务型政府变革中找准自己的位置,彻底改变"小马拉大车"的局面,充分地发...
[期刊论文] 作者：程双武,吴渊渊,
来源：劳动保障通讯 年份：2004
【正】劳动保障宣传工作是党的宣传工作的重要组成部分,也是劳动保障工作的重要方面。如何进一步加强和改进新形势下的劳动保障宣传工作,促进劳动保障事业全面协调持续发展,...
[期刊论文] 作者：李红,初英智,吴渊渊,
来源：中国人力资源社会保障 年份：2004
本刊记者采访了南宁等六市,分析总结了他们在积极推进企业退休人员社会化管理服务工作中的特点和历程,希望能给各地以借鉴和启发。...
[会议论文] 作者：季莲,吴渊渊,谭明,陆书龙,
来源：第二十届全国半导体物理学术会议 年份：2015
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[期刊论文] 作者：李宝吉,吴渊渊,陆书龙,张继军,,
来源：材料导报 年份：2016
研究了不同衬底上MBE技术生长的InGaN的光学和结构特征。结果表明,在相同生长条件下,用图形化衬底生长的InGaN材料比用普通衬底生长的材料有较低的表面粗糙度和背景载流子浓...
[期刊论文] 作者：顾俊,吴渊渊,杨文献,陆书龙,罗向东,,
来源：半导体技术 年份：2016
采用等离子体辅助的分子束外延(MBE)方法制备了InAlN外延薄膜,探讨了InAlN材料In原子数分数和生长条件的关系,以及等效束流强度(BEP)对材料质量的影响。绘制了InAlN关于温度...
[会议论文] 作者：代盼,陆书龙,谭明,吴渊渊,季莲,
来源：第二十届全国半导体物理学术会议 年份：2015
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[期刊论文] 作者：甘兴源,郑新和,吴渊渊,王海啸,王乃明,,
来源：中国科学:物理学 力学 天文学 年份：2014
本文采用分子束外延(MBE)的生长方法,研究了单质碲(Te)和单质镁(Mg)分别作为n型和p型掺杂剂时在III-V族半导体GaAs中的掺杂行为,并且实现了以Te和Mg为掺杂剂的新型GaAs隧道结的生长.通过对生长温度、As4与Ga束流强度V/III比和掺杂剂束流强度的优化调节,获得了载......
[会议论文] 作者：郑新和,张东炎,李雪飞,吴渊渊,杨辉,
来源：第十三届全国固体薄膜学术会议 年份：2012
本报告进行了具有全光谱和抗辐照特性的InGaN电池与材料生长方面的研究工作,重点研究了吸收带边为2.7eV处作为顶电池的InGaN/GaN量子阱电池设计与材料的分子束外延生长.确立了生长过渡区所需的In组分与In/Ga束流比、生长温度以及并入率的定量关系,在此基础上获......
[会议论文] 作者：代盼,陆书龙,季莲,吴渊渊,谭明,杨辉,
来源：第十一届全国分子束外延学术会议 年份：2015
由于理论限制，三结电池的聚光效率已经达到极限。开发更多结的电池，使用更多能量逐渐增加的带隙组合吸收更宽的太阳光谱是实现更高的效率的重要途径。然而，由于带隙较高的材......
[期刊论文] 作者：王海啸, 郑新和, 吴渊渊, 甘兴源, 王乃明, 杨辉,,
来源：物理学报 年份：2013
使用In,N分离的GaInAs/GaNAs超晶格作为有源区是实现高质量1eV带隙GaInNAs基太阳能电池的重要方案之一.为在实验上生长出高质量相应吸收带边的超晶格结构,本文采用计算超晶格...
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