【摘 要】
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由于理论限制，三结电池的聚光效率已经达到极限。开发更多结的电池，使用更多能量逐渐增加的带隙组合吸收更宽的太阳光谱是实现更高的效率的重要途径。然而，由于带隙较高的材
【机 构】
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中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,器件部重点实验室苏州工业园区若水路398号,215123
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由于理论限制，三结电池的聚光效率已经达到极限。开发更多结的电池，使用更多能量逐渐增加的带隙组合吸收更宽的太阳光谱是实现更高的效率的重要途径。然而，由于带隙较高的材料的晶格常数往往比低带隙材料的晶格常数小，很多最优带隙组合的四结键合电池结构都需要采用晶格失配的材料之间的组合。晶片键合技术为不同晶格常数衬底之间的连接提供了可能。我们使用室温晶片键合技术实现了GaAs衬底上双结电池和InP衬底上双结电池的集成。键合界面电阻低，透光性好。
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