搜索筛选:
搜索耗时3.9990秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 4 篇相符的论文内容
发布年度:
[学位论文] 作者：吴焕挺,,
来源：浙江大学 年份：2014
随着世界范围内能源危机的到来,各国政府都在为经济可持续发展的目的积极推广节能降耗技术。高效节能已经成为未来电子产品发展的一个重要方向。目前,电源能耗标准已经在全球...
[期刊论文] 作者：张炜,张世峰,韩雁,吴焕挺,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2012
SOI NLIGBT中热载流子效应分别通过直流电压的应力测试、TCAD仿真和电荷泵测试三种方法进行了研究。其中,不同直流电压应力条件下测得的衬底电流Isub和导通电阻Ron用来评估因...
[会议论文] 作者：张炜,韩雁,张世峰,吴焕挺,余庆,
来源：2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份：2014
本文提出了高压绝缘栅双极晶体管(IGBT)的设计方法,根据国内现有工艺水平,设计了1700V/100A高压大电流的NPT-IGBT.击穿电压达1800 V以上,栅发射极漏电流小于80 nA、关断时间...
[会议论文] 作者：张炜,韩雁,余庆,张世峰,吴焕挺,
来源：2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份：2014
本文提出了高压绝缘栅双极晶体管(IGBT)的设计方法,根据国内现有工艺水平,设计了1700V/100A高压大电流的NPT-IGBT.击穿电压达1800 V以上,栅发射极漏电流小于80 nA、关断时间小于800 nS、关断功耗小于30mJ,都达到设计要求.导通压降3.5V(略高),可通过增大芯片尺寸......
相关搜索：
