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[学位论文] 作者：周发龙,
来源：北京大学 年份：2004
本论文针对MOSFET逻辑集成电路技术和闪存技术发展所面临的问题和挑战，从器件单元结构出发，以提高器件性能和集成密度、降低电压和功耗、提高等比例缩小能力为目的，在器件结构及......
[期刊论文] 作者：刘金华,黄如,张兴,周发龙,
来源：功能材料与器件学报 年份：2003
介绍了垂直沟道器件的常见结构和工艺,分析了垂直沟道器件的最新进展以及垂直沟道器件制作工艺中的最新技术,详细讨论了垂直沟道器件的性能,并分析了垂直沟道器件的优点以及...
[期刊论文] 作者：蔡一茂,黄如,单晓楠,周发龙,王阳元,
来源：电子学报 年份：2006
随着超大规模集成电路技术的发展，CMOS器件的制备过程需要同时引入金属栅和超浅结等新的先进工艺技术，因此各种新工艺的兼容性研究具有重要意义．本文研究了超浅结工艺中使用的锗......
[期刊论文] 作者：黄如,田豫,周发龙,王润声,王逸群,张兴,,
来源：中国科学(E辑:信息科学) 年份：2008
随着集成电路的发展,器件尺寸进入纳米尺度领域,器件性能受到诸多挑战.针对纳米CMOS器件存在的问题,从可集成性考虑,基于由上而下途径,从新型双栅/多栅器件结构角度介绍新型...
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