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[会议论文] 作者：周咏东[1]方家熊[2]叶华伟[2]范广宇[2]汤定元[2],
来源：第三届中国功能材料及其应用学术会议 年份：1998
用低温Ar束溅射沉积生长了ZnS介质薄膜；用低温变磁场Hall测量技术研究了Zns薄膜的沉积生长对n-HgCdTe Hall器件中HgCdTe表面、体内载流子的分布、迁移率的影响。实验证明，利用...
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