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[期刊论文] 作者：徐秋霞,周锁京,
来源：半导体学报 年份：1991
本文对热处理过程中多晶硅中掺杂磷在 TiSi_2/n+poly-Si复合结构中的再分布行为和产生原因及其对RIE刻蚀的影响进行了系统的研究,提出了抑制高掺杂多晶硅中磷外扩散的方法和...
[期刊论文] 作者：徐秋霞,周锁京,赵玉印,
来源：半导体学报 年份：1991
本文对热处理过程中多晶硅中掺杂磷在 TiSi_2/n+poly-Si复合结构中的再分布行为和产生原因及其对RIE刻蚀的影响进行了系统的研究,提出了抑制高掺杂多晶硅中磷外扩散的方法和...
[会议论文] 作者：高文方,周锁京,孙海峰,刘新宇,
来源：第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份：2001
本文对离子注入技术在CMOS/SOI中的应用进行了详细研究.其中,主要研究了部分耗尽/全耗尽SOI器件在沟道工程---即采用深浅两次注入法.最后,给出实验结果:部分耗尽V=1.2V V=-0....
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