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[期刊论文] 作者：唐景庭,
来源：微细加工技术 年份：1990
非晶态合金是一种新型的具有独持优异性能的无机材料,其工业应用潜力是无与伦比的。非晶态合金的离子注入效应则是近十多年内发展起来的用离子束技术研究非晶态合金问题的新...
[期刊论文] 作者：唐景庭,
来源：微细加工技术 年份：1991
对非晶态合金Fe_(40)Ni_(38)Mo_4B_(18)在室温下注入了120keV 2.0×10~(18)、2.5×10~(18)、3.0×10~(18)/cm~2三种剂量的~4He~+离子,借助内转换电子穆斯堡尔谱(...
[期刊论文] 作者：唐景庭,
来源：微细加工技术 年份：1992
聚焦离子束技术是一项有前途的微细加工技术,聚焦光学系统的设计是该技术的关键之一。本文介绍用于聚焦离子光学系统的静电透镜特性计算程序,该程序可计算任何旋转轴对称静电...
[会议论文] 作者：唐景庭,
来源：第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会 年份：2005
本文简述了现代集成电路制造工艺的发展状况,并详细论述适应现代集成电路制造工艺的离子注入技术特点和发展趋势;以及简要介绍了国内外主流的离子注入装备及特点....
[期刊论文] 作者：X.Y.Qian,唐景庭,
来源：微细加工技术 年份：1991
应用等离子体浸没Pd离子注入技术和Cu无电镀实现了Cu互连的选择性电镀。Pd原子从带负电压的靶上被溅射出来,然后在ArECR等离子体中电离成离子并注入到带负脉冲高压的SiO_2基...
[期刊论文] 作者：Qian,XY,唐景庭,
来源：微细加工技术 年份：1991
应用等离子体浸没Pd离子注入技术和Cu无电镀实现了Cu互连的选择性电镀。Pd原子从带负电压的靶上被溅射出来,然后在ArECR等离子体中电离成离子并注入到带负脉冲高压的SiO_2基...
[期刊论文] 作者：刘咸成,唐景庭,等,
来源：集成电路应用 年份：2003
本文描述注氧机在制作SOI（SIMOX）材料时，注入过程对顶层硅中产生粒子污染的影响。结合SIMS测试结果，从光路结构，电器参数、靶室等方面阐述粒子污染的机理，并提出相应的解决措施。......
[期刊论文] 作者：刘咸成,贾京英,唐景庭,
来源：电子工业专用设备 年份：2005
对强流氧离子注入机的注入靶室进行分析探讨,对影响均匀性指标的靶盘结构、束的形状和束扫描注入方式进行研究,结合主体硬件,增加晶片自旋装置和采用新的扫描方式,来提高注入...
[期刊论文] 作者：向小龙,刘恺,程远贵,唐景庭,
来源：太阳能 年份：2008
详细介绍了晶体硅太阳电池生产线整线建设的各个关键环节，初步分析了行业的经营风险、投资经济性，并对产业今后的发展提出了建议。...
[期刊论文] 作者：罗晏,唐景庭,李雪春,卢志恒,
来源：北京师范大学学报(自然科学版) 年份：2002
报道了应用双指数函数对大注量氧注入硅的背散射谱进行拟合,成功地分离出注入的氧峰.数据处理结果表明,氧注量的均匀性以标准偏差表示为7.8%,基本上达到了设计要求.计算了注...
[会议论文] 作者：郭健辉,唐景庭,彭立波,刘仁杰,
来源：第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会 年份：2005
质量分析器是离子注人机的重要组成部分，它的主要作用，是将离子束中的离子按其质量数的不同进行分选，选择所需要的离子通过分析器光栏，到达靶室，以保证注人元素的纯度。因此质量分析器应具有良好的分辨能力。同时为保证光路的束传输效率.质量分析器还应具有良好的的......
[会议论文] 作者：郭健辉,唐景庭,彭立波,戴习毛,
来源：第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会 年份：2005
为了得到较大的束流，同时兼顾低能端的传输效果。加速管采用等梯度加速管，以保证加速电场均匀。新型等梯度加速管是一种线性设计，由一系列被介质隔离的电极组成，电极上的负电压依次增大。这种加速管虽然结构较复杂，但它的优点是，电场分布均匀、不易击穿。本文简述了大......
[会议论文] 作者：孙雪平,郭健辉,彭立波,唐景庭,
来源：第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会 年份：2005
本文对各种平行束产生的装置进行了简要的介绍.并对我们所采取的方案进行详细的描述,其中包括平行束产生的机理、理论计算、边缘场效应的修正、磁铁的设计、线包设计以及平行束透镜电源指标的确定......
[期刊论文] 作者：袁凤坡,王波,潘鹏,王静辉,唐景庭,,
来源：半导体技术 年份：2016
采用金属有机物化学气相沉积,在2英寸(1英寸=2.54 cm)蓝宝石图形衬底上通过引入变温量子阱生长技术,生长出了具有三角形量子阱(TQW)结构的发光二极管外延片。对比不同生长温...
[期刊论文] 作者：唐景庭, 伍三忠, 贾京英, 郭健辉, 刘咸成,,
来源：集成电路应用 年份：2003
制备SOI材料的SIMOX技术因其工艺简单、易控制、重复性好、成本低、易向商业化过渡等优点而引起了SOI材料界更为广泛的关注。SIMOX技术所需要的最关键的设备就是大束流专用氧...
[会议论文] 作者：贾京英,唐景庭,伍三忠,刘咸成,郭健辉,
来源：第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会 年份：2003
SOI材料中顶层硅的质量直接影响到制做的器件性能.本文对顶层硅中出现的位错现象进行了分析,并结合实验,提出了相应的解决措施....
[会议论文] 作者：孙雪平,唐景庭,蔡先武,彭立波,何学飞,
来源：第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会 年份：2005
本文对六相静电吸持原理进行了详细的介绍,给出了六相吸持电压的时序图、电压幅度范围、电压工作频率范围,并详细介绍了六相电源的工作原理....
[期刊论文] 作者：袁凤坡,刘波,尹甲运,王波,王静辉,唐景庭,,
来源：半导体技术 年份：2016
采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法,在4英寸(1英寸=2.54 cm)硅(111)衬底上,使用复合Al GaN插入层技术,成功生长出了厚度为4μm无裂纹的GaN基外延层,并在此基础上生长了...
[会议论文] 作者：刘咸成,唐景庭,伍三忠,贾京英,郭建辉,刘求益,,
来源：集成电路应用 年份：2003
本文描述注氧机在制作SOI(SIM0X)材料时,注入过程对顶层硅中产生粒子污染的影响,结合SIMS测试结果,从光路结构、电器参数、靶室等方面阐述粒子污染的机理,并提出相应的解决措...
[会议论文] 作者：唐景庭,刘咸成,伍三忠,贾京英,郭建辉,刘求益,
来源：第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会 年份：2003
本文描述SOI材料制备工序中,注氧机对SOI材料在离子注入过程中产生粒子污染,影响其顶层硅的性能,结合SIMS测试和ICP-ABS测试的结果,从光路结构、电器参数、靶室等方面分析粒子污染的机理,并提出相应的解决措施.......
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