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[期刊论文] 作者：夏增浪,
来源：半导体技术 年份：1999
详述了目前用于亚微米ＣＭＯＳＩＣ的静电放电保护方法，比较了它们各自的特点，并详细阐述了栅耦合ＰＭＯＳ触发／ＮＭＯＳ触发横向可控硅ＥＳＤ保护电路的工作原理。...
[期刊论文] 作者：夏增浪,刘佑宝,
来源：微电子学与计算机 年份：1994
针对微波ＣＡＤ系统中使用的各种肖特基结场效应管模型，进行综合性分析与比较后，给出了最新的，用于仿真电路非线性特性的精确模型－基于测量的数据模型（查表式模型），该模型与物理模型及工业......
[期刊论文] 作者：夏增浪,胡贵才,
来源：微电子学与计算机 年份：1999
文章采用ＨＰ的ＩＣ－ＣＡＰ对亚微米ＭＯＳＦＥＴ模型参数进行提取，给出了器件结构，测试系统及提取结果，并对提取模型的精确性进行了分析。...
[期刊论文] 作者：夏增浪,刘佑宝,
来源：微电子学 年份：1999
随着个人数据处理和通信技术的发展，设备的小型化推动着ＶＬＳＩ向低压、低功耗的工作方式转化。但硅ＶＬＳＩＡ电路在室温（Ｔ＝３００Ｋ）下工作，会受到各种因素的限制，如静态漏电流、穿通、速度等。文章从ＭＯＳ器件的......
[会议论文] 作者：张东明,葛岩,夏增浪,贾淑文,
来源：第八届全国可靠性物理学术讨论会 年份：1999
本文简单介绍了FIB（Focus Ion Beam)修补技术的原理，并结合作者所做的实际工作归纳了它在集成电路可靠性失效分析中的几方面的应用。...
[会议论文] 作者：夏增浪,李荫波,何卫,高宝嘉,
来源：第八届全国可靠性物理学术讨论会 年份：1999
在CMOS超大规模集成电路的输入和输出电路设计中，ESD的考虑是设计的重要内容，传统的提高ESD的保护方法（一般指增大尺寸）对于I/O电路的速度来说会带来负面的影响（ESD保护水平提高，而......
[会议论文] 作者：夏增浪,胡贵才,李荫波,赵元富,
来源：第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：1999
该文简单地介绍了ＢＳＩＭ１器件模型，给出了采用ＩＣ－ＣＡＰ软件提取模型参数所需的器件结构和测试系统，并针对华晶１．２ｕｍＣＭＯＳ工艺提取了一套ＢＳＩＭ１的模型参数；同时还讨论了这套模型参数用来设计１．２ｕｍＣＭＯＳ模拟电路的可行性。......
[会议论文] 作者：夏增浪,张东明,葛岩,李荫波,赵元富,
来源：第八届全国可靠性物理学术讨论会 年份：1999
圆片级可靠性（WLR）评估技术由于其所花时间短，成本低，对工艺改进指导及时，已成为器件可靠性研究的热点。本文将针对VLSI中栅氧的圆片级可靠性评估技术进行研究，分析了氧化膜失效理......
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