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[期刊论文] 作者：王晓丹, 夏永禄, 韩晶晶, 毛红敏,,
来源：人工晶体学报 年份：2018
第三代宽禁带半导体材料氮化镓(GaN)以其优异的电学和光学性能受到了产业界和科研界的重视。稀土离子Eu掺杂GaN材料,既具备了稀土元素优异的光学性能,又充分发挥了半导体材料...
[期刊论文] 作者：韩晶晶, 王晓丹, 夏永禄, 陈飞飞, 李祥, 毛红敏,,
来源：发光学报 年份：2018
通过MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长GaN薄膜,利用离子注入方法将Eu^3+离子注入到GaN基质中。X射线衍射结果表明:经过退火处理后,修复了部分离子注入所导致的晶格损伤。利用阴极...
[期刊论文] 作者：夏永禄,王晓丹,曾雄辉,王建峰,赵岳,徐科,
来源：光子学报 年份：2018
采用离子注入法在GaN薄膜中实现了Er^3＋和Eu^3＋离子的共掺杂.以阴极荧光光谱仪为主要表征手段,研究样品的光学特性和能量传递机理.在300K温度下,Er^3＋和Eu^3＋共掺杂GaN薄膜能够实...
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