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[期刊论文] 作者：姚秀琛,
来源：北京工商管理 年份：1995
【正】 北大方正集团公司是北京大学创办的高技术企业,是北京方正集团的核心企业,创建于1986年。经过八年的发展,公司现已成为具有较大产业规模和较强经济实力的大型高科技企...
[期刊论文] 作者：秦国刚,姚秀琛,
来源：中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学) 年份：1984
本文详细探讨了振动熵的改变量△S_a在深能级电子(空穴)热发射问题中的作用。导出了任意温度下△S_a的一般表示式。针对△S_a=0△S_a=P△S_(cv)两种重要情况,指出了由热发射率和俘获截面求得的热发射激活能的物理意义和求深能级有关参量的方法。用本理论分析了......
[期刊论文] 作者：李灿国,姚秀琛,秦国刚,
来源：半导体学报 年份：1986
对比电子辐照和氦、硼离子注入,研究了质子注入n型和P型直拉硅中产生的缺陷及其退火行为.指出我们所观察到的n型样品中的电子陷阱E(0.30)是质子注入所特有的,它很可能是与氢...
[期刊论文] 作者：姚秀琛,牟建勋,秦国刚,
来源：半导体学报 年份：1986
本文指出,通过改变偏压和注入脉冲条件,单轴应力下的DLTS方法可以用来分别研究硅中纯的中性态和负电态A中心在单轴应力下的择优取向,并首次用此法测得中性态和负电态A中心在...
[期刊论文] 作者：姚秀琛,王雷,陈开茅,秦国刚,
来源：半导体学报 年份：1989
首次用单轴应力下的深能级瞬态谱法研究了N型直拉硅中与铜有关的主要深能级E_c-0.18eV.由实验结果推断,这个能级对应于硅中两个不同的铜中心,其深能级的激活能十分接近,单轴...
[期刊论文] 作者：姚秀琛,王雷,陈开茅,秦国刚,
来源：半导体学报 年份：1989
首次用单轴应力下的深能级瞬态谱法研究了N型直拉硅中与铜有关的主要深能级E_c-0.18eV.由实验结果推断,这个能级对应于硅中两个不同的铜中心,其深能级的激活能十分接近,单轴...
[期刊论文] 作者：秦国刚, 李灿国, 姚秀琛, 虞福春,,
来源：中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学) 年份：1987
本文是对在多个深能级情况下求分布的理论的改进.原来的理论不适用于在Fermi能级与所研究深能级之间存在浓度与载流子浓度可以比拟的深能级的情况,也不适用于待研究深能级位...
[期刊论文] 作者：姚秀琛,元民华,秦国刚,丁墨元,施益和,钱思敏,
来源：半导体学报 年份：1985
用DLTS法结合C-V法,研究了不同能量的电子辐照(0.5MeV,1MeV,5MeV)在n型LPE GaAs层中产生的E_3、E_4、E_5和P_1、P_2、P_3等缺陷的引入率及其在400—550K范围内的等时退火行为...
[期刊论文] 作者：姚秀琛,元民华,贾陶涛,罗守礼,兰李桥,秦国刚,
来源：中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学) 年份：1989
用深能级瞬态谱法,从与锂有关的缺陷的产生和锂对电照缺陷的退火的影响两个侧面,研究了不同合氧量硅中锂和电照缺陷的相互作用。指出了氧能抑制锂和电照缺陷的相互作用,只有当锂浓度不是远小于氧浓度时,锂才能有作用。E(0.17),E(0.21),E(0.38),E(0.50),H(0.42)......
[期刊论文] 作者：林昭(火回),张丽珠,童晓民,姚秀琛,张伯蕊,秦国刚,李桂英,
来源：红外研究 年份：2004
我们在0～31kbar的单轴应力下,看到在77K下NN_1线由一个峰分成为两个峰。在77K下,一般都没有观察到NN_2峰,我们通过单轴应力下的光致发光研究观察到NN_2线。实验样品是液相外...
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