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[学位论文] 作者：孙佳胤,,
来源：中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） 年份：2007
GaN材料是目前所有Ⅲ—Ⅴ族氮化物中研究最多的材料之一。该材料属宽禁带半导体，直接带隙3.4eV，在长寿命、低能耗、短波长半导体发光二极管、激光二极管、紫外探测器以及高温微......
[会议论文] 作者：孙佳胤,,
来源： 年份：2013
本文所说的科技型小微企业是指那些依靠自主研发产新产品开拓市场的企业,这些企业通常在细分领域有很强的创新能力。科技型小微企业带头人或者核心团队通常具有良好的教育或...
[会议论文] 作者：王曦;孙佳胤;武爱民;陈静;,
来源：第六届中国功能材料及其应用学术会议 年份：2007
采用有限元方法,通过ANSYS软件模拟了体硅衬底上和SOI衬底上生长的GaN外延膜从1100℃的生长温度降到20℃的热应力变化情况。模拟结果表明SOI衬底作为一种柔性衬底,能有效减少...
[期刊论文] 作者：杨志峰,陈静,孙佳胤,武爱民,王曦,,
来源：功能材料与器件学报 年份：2008
通过分析SOI基GaN生长的机制，结合热膨胀系数不同而产生应力的原理，利用弹性力学原理，我们对已有的计算多层结构应力的模型进行了简化修改，得到了能够方便的计算SOI基GaN生长过程......
[会议论文] 作者：王曦,孙佳胤,武爱民,陈静,王曦,
来源：第六届中国功能材料及其应用学术会议 年份：2007
采用有限元方法,通过ANSYS软件模拟了体硅衬底上和SOI衬底上生长的GaN外延膜从1100℃的生长温度降到20℃的热应力变化情况。模拟结果表明SOI衬底作为一种柔性衬底,能有效减少异质外延的晶格失配,但是单从热失配的角度,由于引入了热膨胀系数(CET)更小的埋层SiO2,......
[期刊论文] 作者：王曦,孙佳胤,武爱民,陈静,王曦1,
来源：功能材料 年份：2007
采用有限元方法，通过ANSYS软件模拟了体硅衬底上和SOI衬底上生长的GaN外延膜从1100℃的生长温度降到20℃的热应力变化情况。模拟结果表明SOI衬底作为一种柔性衬底，能有效减少异...
[期刊论文] 作者：孙佳胤,陈静,王曦,王建峰,刘卫,朱建军,杨辉,
来源：功能材料与器件学报 年份：2007
本文研究了SOI衬底上采用MOCVD方法生长GaN材料的应力释放机制.采用SIMOX工艺制备的具有薄膜顶层硅的SOI材料作为外延生长的衬底材料,采用MOSS在位检测系统以及拉曼测试作为G...
[期刊论文] 作者：张恩霞, 孙佳胤, 易万兵, 陈静, 金波, 陈猛, 张正选,
来源：功能材料与器件学报 年份：2004
采用氧氮共注的方法制备了氮氧共注隔离 SOI (SIMON) 圆片,对制备的样品进行了二次离 子质谱和透射电镜分析,并对埋层结构与抗辐射性能的机理进行了分析.结果表明,注氮剂量较...
[期刊论文] 作者：张恩霞,孙佳胤,易万兵,陈静,金波,陈猛,张正选,张国强,王曦,
来源：功能材料与器件学报 年份：2004
采用氧氮共注的方法制备了氮氧共注隔离SOI(SIMON)圆片,对制备的样品进行了二次离子质谱和透射电镜分析,并对埋层结构与抗辐射性能的机理进行了分析。结果表明,注氮剂量较低...
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