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[期刊论文] 作者：孙恒慧,
来源：炼油设计 年份：2001
介绍了氢气网络优化的窄点分析方法,对典型炼油厂现有及规划氢气网络进行窄点分析,可获得约5%的理论氢气节约量,创造良好的经济效益及环境效益,对规划的氢气网络结构提出优化...
[会议论文] 作者：孙恒慧,
来源：2004年中国石化炼油节能技术交流会 年份：2004
镇海炼化公司炼油系统经多次扩能改造，原油加工量、装置规模均有大幅度的增加，系统也日趋复杂，但凝结水回收系统缺乏统一的规划、改造，凝结水回收管理力度不够，致使凝结水回收系统......
[期刊论文] 作者：彭承, 孙恒慧,,
来源：物理学报 年份：1987
本文用电子辐照的方法在n型InP中引入缺陷,并以深能级瞬态谱为基础,结合多种实验方法和理论计算,对缺陷的结构作了较为系统的研究和分析。首先,根据空位的引入和迁移模型,从...
[期刊论文] 作者：龚大卫,孙恒慧,
来源：半导体学报 年份：1993
本文用加栅的光电流瞬态谱（ＰＩＣＴＳ）方法研究了半绝缘砷化镓材料的深能级缺陷，发现加栅后可使ＰＩＣＴＳ对ＥＬ２等靠近禁带中央的缺陷变得灵敏，并分析了其中原因，认为材料中费米能级位置对ＰＩＣＴＳ结果有影响。......
[期刊论文] 作者：龚大卫,孙恒慧,
来源：半导体学报 年份：1992
本文用 PICTS方法配合退火实验对各种 LEC SI-GaAs材料的缺陷进行了测量,对照文献已有的各种结果,分析和讨论了一些缺陷的成因和可能结构.认为其中的W1 可能是与A...
[期刊论文] 作者：陆昉,孙恒慧,
来源：复旦学报(自然科学版) 年份：1985
目前,深能级瞬态谱仪DLTS(Deep Level Transient Spectrcopy)已广泛应用于研究半导体中深能级中心以及界面态的各种性质.本文介绍用计算机控制DLTS的测试,并同时进行数据处...
[期刊论文] 作者：朱永刚,孙恒慧,
来源：红外研究 年份：1990
采用恒流光电导方法,在不同温度下测量了未掺杂半绝缘LEC砷化镓中EL2能级的光电离截面谱σ_n~0-hv。发现截面谱中有三个上升较快的台阶,认为它们来源于EL2能级上的电子向导带...
[期刊论文] 作者：黄维章,孙恒慧,
来源：能源工程 年份：2003
介绍了利用计算机技术建立的炼油厂蒸汽管网模拟与监测管理系统,通过该系统能在线监测整个管网系统,以保证管网优化节能运行....
[期刊论文] 作者：孙恒慧，朱林华,
来源：建筑工程技术与设计 年份：2018
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[期刊论文] 作者：冯有纲, 孙恒慧,
来源：复旦学报(自然科学版 年份：1983
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[期刊论文] 作者：龚大卫,陆昉,孙恒慧,
来源：半导体学报 年份：1992
本文用 PICTS方法配合退火实验对各种 LEC SI-GaAs材料的缺陷进行了测量,对照文献已有的各种结果,分析和讨论了一些缺陷的成因和可能结构.认为其中的W_1 可能是与As_(Ga)有关...
[期刊论文] 作者：李先皇,陆昉,孙恒慧,
来源：物理学报 年份：1993
应变的Ge_xSi_(1-x)层和未应变的硅层间的能带偏移主要是价带偏移。量子阱中载流子的热发射能与界面的能带偏移有着密切的关系。本文用深能级瞬态谱(DLTS)研究分子束外延生长...
[期刊论文] 作者：陆 昉 ,龚大卫,孙恒慧,
来源：物理学报 年份：1994
对同质硅分子束外延层的界面缺陷进行了测试与分析．对存在高浓度施主型界面缺陷的Ｐ型材料，通过解泊松方程计算了该材料的肖特基势垒的能带图，得到了该缺陷能级上电子的填充与发射......
[期刊论文] 作者：彭承, 盛篪, 孙恒慧,
来源：物理学报 年份：1988
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[期刊论文] 作者：冯有纲,孙恒慧,盛篪,
来源：复旦学报(自然科学版) 年份：1983
磷化铟和与它有关的三元四元合金是目前认为作光电及微波器件比较有前途的材料.上述一些器件的制备工艺虽尚未成熟,但已发现材料的质量与光电及微波器件的性能有很大的影响,...
[会议论文] 作者：周永峰;孙恒慧;周纪军;,
来源：2004年中国石化炼油节能技术交流会 年份：2004
蜡油深度加工是原油加工过程中的一个重要环节，蜡油加工装置的运行效益直接影响到整个炼油企业的经济效益。在实际加工过程中，由于蜡油粘度大、流动性差，装置的供料方式比较复杂......
[期刊论文] 作者：孙恒慧,竺树声,許克明,,
来源：复旦大学学报(自然科学) 年份：2004
观察了样品几何尺寸、表面复合速度及光的贯穿程度,对半导体少数载流子光电导衰退中高次模的影响。在测量时使用贯穿光、大尺寸样品、及使样品表面复合速度较低时,高次模的作...
[期刊论文] 作者：陆昉,袁健,龚大卫,孙恒慧,
来源：复旦学报(自然科学版) 年份：1992
计算机模拟表明,对于常规的光生电流瞬态谱,如果样品中两个深能级缺陷的信号因位置接近而互相迭加,则在确定这些缺陷的参数时会由于率窗的选取不当而引进很大的误差.为此本文...
[期刊论文] 作者：杜瑞瑞,孙恒慧,董国胜,
来源：半导体学报 年份：1983
以氦灯真空紫外光源研究了辐照下 n(100)硅衬底MOS样品的氧化层陷阱和Si-SiO_2界面态.发现在湿氧和干氧氧化层中都存在密度为10~(12)/cm~2数量级的空穴陷阱,部分氧化层中有密...
[期刊论文] 作者：陆埮,蒋家禹,龚大为,孙恒慧,
来源：物理学报 年份：1994
提出了用单频导纳谱法测量储硅单量子阶的能带偏移，与常规的多频导纳谱相比，它只需测一个频率的导纳谱就能得到更精确的实验结果。用该方法对Ｓｉ／Ｇｅ＿（０．３３）Ｓｉ＿（０．６７）／Ｓｉ单量子阱进行测试，得到激活能为Ｅ＝０．２０ｅＶ。为......
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