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[学位论文] 作者：季峰强,
来源： 年份：2008
随着半导体技术的发展,先进DRAM(Dynamic Random Access Memory)工艺中随着器件尺寸的逐步降低,电容工艺越来越多的受到工艺空间和高电容的挑战,新型结构的电容工艺被应用到DRAM工艺中。本课题围绕实际工作中遇到的0.13μm堆叠式DRAM的HSG(Hemispherical-Grain)......
[期刊论文] 作者：范建国,季峰强,蔡丹华,,
来源：电子与封装 年份：2013
随着动态随机存取存储器（内存）线宽的缩小，需要半球状多晶硅等新技术来增大电容。当前对选择性半球状多晶硅论述较多，非选择性半球状多晶硅则较少提到。文中讲述的是炉管非选择性......
[会议论文] 作者：李刚,李宜彬,季峰强,费维栋,
来源：第12届全国复合材料学术会议 年份：2002
通过挤压铸造制备出具有较高抗拉强度的由FeO和硼酸晶须共同增强的铝基复合材料.利用的磁致伸缩性质,在磁场热处理下,分布在基体铝中的FeO的磁致伸缩性质,在磁场热处理下,分...
[期刊论文] 作者：季峰强,黄其煜,范建国,庄燕萍,,
来源：电子与封装 年份：2008
随着半导体技术的发展，越来越多的立式炉管在200mm及300mm集成电路晶圆制造中被应用到。同时炉管制程中的片数效应随着集成电路芯片的集成度越来越高而被凸显出来。文章将以LP...
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