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[期刊论文] 作者：宁众,
来源：半导体情报 年份：1989
苏联很重视半导体基础理论的研究,理论研究主要是由苏联科学院担任,少部分由高等院校担任,而应用研究则主要由工业部门来担任。苏联的半导体研究所和半导体有关的研究所...
[期刊论文] 作者：宁众,
来源：半导体情报 年份：1990
据报导,苏联列宁格勒加里宁工学院目前正在进行用电子辐照磷化铟的试验,这种试验目前已告一段落。试验的目的在于探索电子辐照对掺3d元素例如掺铬、铁和锰的磷化铟性质...
[期刊论文] 作者：宁众,
来源：苏联科学与技术 年份：1992
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[期刊论文] 作者：宁众,
来源：苏联科学与技术 年份：1990
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[期刊论文] 作者：宁众,,
来源：半导体情报 年份：2004
一、概况自60年代以来,由于无线电技术、自动控制及国防军事科学的发展,促进了微波半导体器件的发展。20年来,微波半导体器件发展非常迅速。初期,微波器件只有点接触式检波...
[期刊论文] 作者：宁众,
来源：半导体技术 年份：2004
在宇航、卫星和远程导弹系统中用的器件的研制方面,许多国家的厂家都投入了相当多的人力和物力,从而大大地促进了高可靠半导体器件的发展,并制定了一些关于器件可靠性划分的...
[期刊论文] 作者：宁众,,
来源：半导体情报 年份：1990
据报导,苏联列宁格勒加里宁工学院目前正在进行用电子辐照磷化铟的试验,这种试验目前已告一段落。试验的目的在于探索电子辐照对掺3d元素例如掺铬、铁和锰的磷化铟性质的影...
[期刊论文] 作者：宁众,,
来源：半导体情报 年份：1988
在1～1.65μm波长范围内工作的光波通讯系统,需要高速、低噪声的InGaAs光电探测器。与在相同波长范围工作的雪崩光电二极管相比,p-i-n光电二极管具有暗电流低、频率带宽大等优...
[期刊论文] 作者：宁众,,
来源：半导体情报 年份：1988
据报导,美国桑迪亚国立实验室已研制成一种新的多应变量子阱场效应晶体管。这种晶体管是具有两个平行的10nm量子阱的GaAs/In_(0.2)Ga_(0.8)As结构,用Be从顶部和底部进行调制...
[期刊论文] 作者：宁众,,
来源：半导体情报 年份：1988
日本研究和发展公司已找到在低压和低温下制作集成电路用的金刚石薄膜的方法。该公司已生产出一批商用产品,并改进了涂敷的均匀性。这种金刚石具有与天然金刚石完全相同的质...
[期刊论文] 作者：宁众,,
来源：半导体情报 年份：1989
苏联很重视半导体基础理论的研究,理论研究主要是由苏联科学院担任,少部分由高等院校担任,而应用研究则主要由工业部门来担任。苏联的半导体研究所和半导体有关的研究所比较...
[期刊论文] 作者：宁众,,
来源：半导体情报 年份：1985
据报导,美国某些公司加强了线性集成电路的研制,从而出现了一些新产品。例如,美国 Advanced Micro Devices 公司采用三层布线技术和1.5μm 工艺技术在今年已研制成运算时间...
[期刊论文] 作者：Γарбузоь Д.З.,宁众,,
来源：半导体情报 年份：1985
首先用光激励的方法研究了有源区成份选择范围较宽的 InGaAsP/InP异质结构的发光特性和阈值特性。指出,在从λ=1.5μm 的结构向λ=1.1μm 的“宽带”结构过渡时,由于俄歇复合...
[期刊论文] 作者：宁众,,
来源：半导体情报 年份：1975
在民用机器领域内,为了适应高性能、低消耗、低价格和小型化的要求,所使用的电子部件也从由二极管、晶体管等单个部件的组合向集成电路进而向大规模集成电路化进展。而用量...
[期刊论文] 作者：宁众,,
来源：半导体情报 年份：1981
狭义地讲,线性集成电路是指输出对于输入信号的变化成线性关系的电路。广义地讲,线性集成电路既包括输出对于输入信号的变化成线性关系的电路,又包括输出对于输入信号的变化...
[期刊论文] 作者：宁众,,
来源：半导体情报 年份：1983
一引言近年来,由于通讯、雷达及各项电子工程的发展,对集成电路尤其是对线性集成电路提出了更高的要求,加上工艺的不断改进,使线性电路有了很大的发展。RCA公司、美国的国际...
[期刊论文] 作者：宁众,,
来源：半导体情报 年份：1989
十多年前,国际上曾经出现过关于玻璃半导体的报导和争论的热潮。当时,持肯定态度者有之,持否定态度者有之,双方各执一词,要分辨孰是孰非,并非易事。然而不久,这种报导和争论...
[期刊论文] 作者：R.J.Gutmann,宁众,,
来源：半导体情报 年份：2004
一、引言 GaAs肖特基栅FET(MESFET)在微波下的低噪声系数已得到了证明,而且很快被用在微波通信和雷达的接收机中。但是,随着科学技术和现代化武器的发展,在某些国防及卫星等...
[期刊论文] 作者：A.B.XPAMOB,宁众,,
来源：半导体情报 年份：1985
本文提出了一种用测量线测量大信号状态下晶体管 S 参数的方法。给出了场效应晶体管 S 参数与输入功率大小的实验关系。This paper presents a method of measuring the S-...
[期刊论文] 作者：Kosho Katsukawa,宁众,,
来源：半导体情报 年份：1985
Al 栅功率 GaAs FET 的两种主要的失效模式是非夹断现象和烧毁。非央断现象是由栅金属断开引起的。本文报导了利用微探针俄歇电子能谱和扫描电子显微镜研究栅金属断开原因的...
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