搜索筛选:
搜索耗时2.1448秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 15 篇相符的论文内容
发布年度:
[学位论文] 作者：宁冰旭,
来源：中国科学院大学 年份：2013
...
[期刊论文] 作者：刘小年,戴丽华,宁冰旭,邹世昌,,
来源：Chinese Physics Letters 年份：2017
The body current lowering effect of 130 nm partially depleted silicon-on-insulator(PDSOI) input/output(I/O)n-type metal-oxide-semiconductor field-effect transis...
[期刊论文] 作者：王茹,张正选,俞文杰,毕大炜,陈明,刘张李,宁冰旭,
来源：功能材料与器件学报 年份：2011
本研究工作采用硅离子注入和高温退火工艺对SIMOX材料的BOX层进行总剂量辐射加固。辐射实验结果证明了该加固方法的有效性。PL谱和HRTEM图像显示了硅离子注入及退火工艺在材...
[期刊论文] 作者：刘张李, 胡志远, 张正选, 邵华, 宁冰旭, 毕大炜, 陈明,,
来源：物理学报 年份：2011
...
[会议论文] 作者：刘小年,张梦映,戴丽华,宋雷,张正选,宁冰旭,胡志远,
来源：2016年上海市研究生学术论坛——电子科学与技术 年份：2016
在器件结构、辐照偏置相同的情况下,研究不同沟道长度的总剂量辐射响应.氧化层中辐射诱生陷阱正电荷是导致器件特性退化的关键.寄生侧壁晶体管会因浅沟槽隔离氧化层中的陷阱...
[会议论文] 作者：张梦映,胡志远,宁冰旭,宋雷,戴丽华,刘小年,张正选,
来源：2016年上海市研究生学术论坛——电子科学与技术 年份：2016
在器件结构、辐照偏置相同的情况下,研究不同沟道长度的总剂量辐射响应.氧化层中辐射诱生陷阱正电荷是导致器件特性退化的关键.寄生侧壁晶体管会因浅沟槽隔离氧化层中的陷阱电荷沟道反型,产生大的关态漏电流.由于SOI器件绝缘埋层的存在,同样会存在陷阱正电荷,对......
[期刊论文] 作者：刘张李,胡志远,张正选,邵华,宁冰旭,毕大炜,陈明,邹世昌,,
来源：物理学报 年份：2011
对0.18μm metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor(MOSFET)器件进行γ射线辐照实验,讨论分析器件辐照前后关态漏电流、阈值电压、跨导、栅电流、亚阈值斜率等特...
[期刊论文] 作者：胡志远,刘张李,邵华,张正选,宁冰旭,陈明,毕大炜,邹世昌,,
来源：Chinese Physics B 年份：2011
This paper investigates the effects of gamma-ray irradiation on the Shallow-Trench Isolation (STI) leakage currents in 180-nm complementary metal oxide semicond...
[期刊论文] 作者：胡志远,刘张李,邵华,张正选,宁冰旭,陈明,毕大炜,邹世昌,,
来源：中国物理C 年份：2011
The evolution of inter-device leakage current with total ionizing dose in transistors in 180 nm generation technologies is studied with an N-type poly-gate fiel...
Gate length dependence of the shallow trench isolation leakage current in an irradiated deep submicr
[期刊论文] 作者：刘张李,胡志远,张正选,邵华,陈明,毕大炜,宁冰旭,邹世昌,,
来源：半导体学报 年份：2011
The effects of gamma irradiation on the shallow trench isolation(STI)leakage currents in a 0.18μm technology are investigated.NMOSFETs with different gate leng...
[期刊论文] 作者：刘张李,胡志远,张正选,邵华,陈明,毕大炜,宁冰旭,邹世昌,,
来源：Chinese Physics B 年份：2011
Deep submicron n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (NMOSFETs) with shallow trench isolation (STI) are exposed to ionizing dose radiatio...
[期刊论文] 作者：胡志远,刘张李,邵华,张正选,宁冰旭,毕大炜,陈明,邹世昌,,
来源：物理学报 年份：2012
研究了180 nm互补金属氧化物半导体技术下的器件沟道长度对总剂量辐照效应的影响.在其他条件如辐照偏置、器件结构等不变的情况下,氧化层中的陷阱电荷决定了辐照响应.浅沟槽...
Utilizing a shallow trench isolation parasitic transistor to characterize the total ionizing dose ef
[期刊论文] 作者：彭超,胡志远,宁冰旭,黄辉祥,樊双,张正选,毕大炜,恩云飞,,
来源：Chinese Physics B 年份：2014
We investigate the effects of 60 Co γ-ray irradiation on the 130 nm partially-depleted silicon-on-isolator(PDSOI)input/output(I/O) n-MOSFETs. A shallow trench...
[期刊论文] 作者：宁冰旭,胡志远,张正选,毕大炜,黄辉祥,戴若凡,张彦伟,邹世昌,,
来源：物理学报 年份：2013
本文深入研究了130nm Silicon-on-Insulator(SOI)技术下的窄沟道n型metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistor(MOSFET)器件的总剂量辐照效应.在总剂量辐照下,相比...
[期刊论文] 作者：樊双,胡志远,张正选,宁冰旭,毕大炜,戴丽华,张梦映,张乐情,,
来源：Chinese Physics B 年份：2017
Total ionizing dose induced single transistor latchup effects for 130 nm partially depleted silicon-on-insulator(PDSOI)NMOSFETs with the bodies floating were st...
相关搜索：
