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[期刊论文] 作者：傅雄强,张蓬英,宁培琪,
来源：稀有金属 年份：1984
按本文所述的方法可以生产供硅外延使用的高纯SiCl_4,其化学纯度可达8个“9”以上;生产不掺杂n/n~+硅外延层(厚度为40～50微米)的电阻率在100欧姆-厘米以上。最高可达300欧姆-...
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