搜索筛选:
搜索耗时1.5910秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 1 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者:傅雄强,张蓬英,宁培琪,
来源:稀有金属 年份:1984
按本文所述的方法可以生产供硅外延使用的高纯SiCl_4,其化学纯度可达8个“9”以上;生产不掺杂n/n~+硅外延层(厚度为40~50微米)的电阻率在100欧姆-厘米以上。最高可达300欧姆-...
相关搜索: