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[期刊论文] 作者：安姽,顾世惠,包其伦,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1988
本文报道了对各种GaAs MESFET和HEMT器件的低频噪声测量和讨论,认为这些器件低频噪声具有以下特点:(1)GaAs MESFET器件低频噪声随器件源、漏电流、负栅压绝对值增大而增大。(...
[期刊论文] 作者：安姽,顾世惠,包其伦,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1988
GaAs MESFET器件的低频噪声是该器件一项重要的电特性,研究它的产生机理对器件微波非线性和从直流到微波超宽带等方面的应用,以及了解器件内部深能级均非常重要。 GaAs MESF...
[期刊论文] 作者：安姽,顾世惠,包其伦,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1989
本文介绍了GaAs MESFET器件低频噪声测量系统,以及该器件低频噪声的特点。在分析器件中低频噪声可能来源的基础上,首次采用高能电子辐照技术并结合变温噪声测量、变频C-V等方...
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