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[期刊论文] 作者：刘旭焱,宋三年,刘卫丽,宋志棠,,
来源：功能材料与器件学报 年份：2013
结合新一代高集成度三维集成电路和新型相变存储技术,以三维相变存储单元阵列的实现为目标,进行了用于存储单元的驱动和开关作用的二极管阵列的制备实验。在借助低温等离子体...
[期刊论文] 作者：黄玉凤,吴卫华,徐胜卿,朱小芹,宋三年,宋志棠,
来源：物理学报 年份：2021
采用磁控溅射法制备了不同厚度的Sn15Sb85薄膜,使用电阻-温度-时间测试系统研究了Sn15Sb85薄膜在热致作用下从非晶态到晶态的相变动力学过程.应用近红外分光光度计获得了非晶Sn15Sb85薄膜的反射率光谱,拟合计算得到薄膜的光学带隙.通过原子力显微镜观察了Sn15Sb......
[期刊论文] 作者：王东明,吕业刚,宋三年,王苗,沈祥,王国祥,戴世勋,宋志棠,
来源：物理学报 年份：2015
采用原位X射线衍射仪、拉曼光谱仪和X射线反射仪分别研究了Cu-Sb2Te薄膜的微结构、成键结构和结晶前后的密度变化.Sb2Te薄膜的结晶温度随着Cu含量的增加而增大.在10 at.%和14...
[期刊论文] 作者：朱月琴,张中华,宋三年,谢华清,宋志棠,沈兰兰,李乐,吴良才,刘波,,
来源：Chinese Physics Letters 年份：2015
The phase change material of Ge-doped Sb_2 Te_2 is shown to have higher crystallization temperature and better thermal stability compared with pure Sb_2 Te_2.Ge...
[期刊论文] 作者：张徐,刘波,宋三年,姚栋宁,朱敏,饶峰,吴良才,宋志棠,封松,
来源：无机材料学报 年份：2013
采用CF4和Ar混合气体研究了新型相变材料Ti0.5Sb2Te3（TST）的刻蚀特性，重点优化和研究了刻蚀气体总流速、CF／Ar的比例、压力和功率等工艺参数对刻蚀形貌的影响。结果表明，当气体总......
[期刊论文] 作者：张徐,刘波,宋三年,姚栋宁,朱敏,饶峰,吴良才,宋志棠,封松林,,
来源：无机材料学报 年份：2013
采用CF4和Ar混合气体研究了新型相变材料Ti0.5Sb2Te3(TST)的刻蚀特性,重点优化和研究了刻蚀气体总流速、CF4/Ar的比例、压力和功率等工艺参数对刻蚀形貌的影响。结果表明,当...
[期刊论文] 作者：张徐,饶峰,刘波,彭程,周夕淋,姚栋宁,郭晓慧,宋三年,王良咏,成岩,吴良才,宋志棠,封松林,,
来源：半导体学报 年份：2012
The dry etching characteristic of Al_(1.3)Sb_3Te film was investigated by using a CF_4/Ar gas mixture.The experimental control parameters were gas flow rate int...
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