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[期刊论文] 作者：宋湘云,
来源：微电子学 年份：1993
本文主要介绍干法等离子去胶技术,包括去胶原理、方法、设备等,并且分析了等离子去胶引起的各种损伤机理,提出剥离问题及解决办法。...
[期刊论文] 作者：宋湘云,
来源：护理实践与研究 年份：2012
目的：探讨支气管肺泡灌洗诊断肺结核的可行性及护理方法。方法：对36例疑似肺结核患者进行支气管肺泡灌洗,灌洗液经离心、沉淀,涂片抗酸染色找结核杆菌。结果：36例疑似肺结核患者......
[期刊论文] 作者：宋湘云,
来源：微电子学 年份：1994
集成电路隔离技术概述（续Ⅰ）宋湘云编译６ 全凹槽氧化物ＬＯＣＯＳ工艺全凹槽氧化物ＬＯＣＯＳ工艺已经在双极ＩＣ制造中得到广泛应用。在生长衬垫氧化物和淀积Ｓｉ＿３Ｎ＿４后，腐蚀掉标准埋层集电极双极工艺中二分之一......
[期刊论文] 作者：宋湘云,
来源：微电子学 年份：1992
本文介绍一种晶片级可靠性(WLR)研究技术。与传统可靠性保证技术相比,WLR技术的成本低,对破坏性失效机理很敏感,工艺评价速度快。...
[期刊论文] 作者：宋湘云,
来源：临床肺科杂志 年份：2005
肺脓肿是以各种病原菌引起的肺化脓性感染性疾病.由于脓肿存在一层厚薄不均的壁,病变部位血液循环差,增加全身使用抗生素不易使药物透过此壁进入脓肿内,患肺脓肿时,严重的感...
[期刊论文] 作者：宋湘云,
来源：微电子学 年份：1994
隔离技术是集成电路制造工艺中颇为重要的技术。本文综合介绍了当今半导体加工工艺中所用的隔离技术，包括现有双极和ＭＯＳ器件所用的各种隔离，以及亚微米器件结构所采用的最新隔离方......
[期刊论文] 作者：宋湘云,
来源：微电子学 年份：1992
I线波长为365μm。I线光刻具有分辨率高、焦深比g线深、光刻简单和价廉物美等许多优点。0.45的数值孔径透镜和专门设计的光刻胶系统的应用,使I线光刻实现了0.5μm特征尺寸的...
[期刊论文] 作者：宋湘云,
来源：微电子学 年份：1992
本文着重对各种半导体材料、工艺、器件、数字和模拟电路的高温特性进行比较;概述了过去30年的发展史,说明MOSFET工艺处于重要地位;总结了标准ICCAD程序中高温模型的缺点,提...
[期刊论文] 作者：宋湘云,
来源：中国煤炭工业医学杂志 年份：2012
目的 探讨内科胸腔镜诊断不明原因胸腔积液临床应用中的护理配合及体会.方法 通过对108例不明原因胸腔积液患者内科胸腔镜诊断中的护理配合得出护理要点和体会.结果 108例胸...
[期刊论文] 作者：宋湘云,
来源：微电子学 年份：1992
I线波长为365μm。I线光刻具有分辨率高、焦深比g线深、光刻简单和价廉物美等许多优点。0.45的数值孔径透镜和专门设计的光刻胶系统的应用,使I线光刻实现了0.5μm特征尺寸的...
[期刊论文] 作者：宋湘云,
来源：微电子学 年份：1994
隔离技术是集成电路制造工艺中颇为重要的技术。本文综合介绍了当今半导体加工工艺中所用的隔离技术，包括现有双极和ＭＯＳ器件所用的各种隔离，以及亚微米器件结构所采用的最新隔离方......
[期刊论文] 作者：宋湘云,
来源：微电子学 年份：1994
集成电路隔离技术概述（续Ⅰ）宋湘云编译６ 全凹槽氧化物ＬＯＣＯＳ工艺全凹槽氧化物ＬＯＣＯＳ工艺已经在双极ＩＣ制造中得到广泛应用。在生长衬垫氧化物和淀积Ｓｉ＿３Ｎ＿４后，腐蚀掉标准埋层集电极双极工艺中二分之一......
[期刊论文] 作者：宋湘云,
来源：微电子学 年份：1988
...
[期刊论文] 作者：A.Yamada,宋湘云,
来源：微电子学 年份：1988
用旋涂玻璃作为粘合剂,把两块硅片粘合在一起,其粘合强度主要取决于表面处理;还通过红外反射光谱测量确定了粘合强度;粘合后,减薄其中一块硅片便得到绝缘层上硅(SOI)结构;5μ...
[期刊论文] 作者：Emesh,IT,宋湘云,
来源：微电子学 年份：1991
本文介绍用四乙基正硅酸盐(TEOS)等离子体加速化学气相淀积SiO_2膜的试验研究情况。发现,当采用氧作氧化剂的时候,所产生的膜大约含有1个原子百分比浓度(a/o)的氮或碳。在反...
[期刊论文] 作者：Wittmer,宋湘云,
来源：微电子学 年份：1989
现代的微电子器件,在重掺杂的硅材料上的自对准结构中采用过渡金属。在硅化物生成期间或生成之后的热处理可能使作基础的硅层中的杂质浓度发生很大的变化。本文讨论了自对准...
[期刊论文] 作者：P.A.Taylor,宋湘云,
来源：微电子学 年份：1990
本文述评了在化学汽相淀积中用于淀积单晶硅层、多晶硅、非晶硅、二氧化硅、氮化硅或硅化物的硅源气体的选择准则,并且详细地讨论了气流中的杂质,给出了最高杂质含量的规范。...
[期刊论文] 作者：P.W.Koob,宋湘云,
来源：微电子学 年份：1987
用化学腐蚀法、光学显微技术、透射电子显微技术(TEM)和能量分散X线(EDX)分析方法,研究了在1100℃水汽氧化后在N型(100)硅片上发现的表面堆垛层错。认为氧化时在反应炉中存在...
[期刊论文] 作者：小岛,宋湘云,
来源：微电子学 年份：1990
松下电子工业公司开发出了MN59000系列的CMOS门阵列电路,该电路在固定的第一层铝上作第二层铝布线,周期短。为保证优先用于该系列电路的制造,建立了一条生产线,准备好在设计...
[期刊论文] 作者：藤田香,宋湘云,
来源：微电子学 年份：1989
在美国,加工尺寸限于1微米的最新LSI工厂里正开始采用宇航服武净化服,这是为了清除LSI的大敌——尘埃;美国英特尔公司,在生产32位微处理机80386等的最新工厂里已开始采用这种...
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