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[学位论文] 作者：尚景智,,
来源：厦门大学 年份：2009
Ⅲ族氮化物(GaN,AlN及InN)半导体材料具有优异的光学和电学特性,已引起人们广泛的关注和研究。特别是在任意组分下都具有直接带隙的AllnGaN四元材料在高效率短波长发光器件和...
[期刊论文] 作者：吴超敏,尚景智,张保平,余金中,王启明,,
来源：半导体光电 年份：2009
采用金属有机物化学气相沉积方法制备了蓝光波段高反射率AlN/GaN分布布拉格(DBR)反射镜。利用金相显微镜、扫描电子显微镜、原子力显微镜以及分光光度计等测量手段对样品的物...
[期刊论文] 作者：胡晓龙,张江勇,尚景智,刘文杰,张保平,,
来源：Chinese Physics B 年份：2010
This paper studies the exciton-longitudinal-optical-phonon coupling in InGaN/GaN single quantum wells with various cap layer thicknesses by low temperature phot...
[会议论文] 作者：张江勇,余金中,王启明,蔡丽娥,张保平,尚景智,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
以高反射率的SiO2/Ta2O5介质膜DBR作为反射镜,并利用激光剥离技术,制备了GaN基垂直腔面发射激光器(VCSEL)。在光泵条件下,实现了低阈值蓝光激射,阈值能量密度为6.5mJ/cm2,激...
[会议论文] 作者：张江勇,蔡丽娥,张保平,尚景智,余金中,王启明,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
以高反射率的SiO2/Ta2O5介质膜DBR作为反射镜,并利用激光剥离技术,制备了GaN基垂直腔面发射激光器(VCSEL)。在光泵条件下,实现了低阈值蓝光激射,阈值能量密度为6.5mJ/cm2,激射波长为449.5 nm,半商宽小于0.1 nm。重要性能指标达到了国际先进水平。......
[期刊论文] 作者：尚景智,张保平,吴超敏,蔡丽娥,张江勇,余金中,王启明,,
来源：光电子.激光 年份：2008
利用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）方法在蓝宝石c面衬底上制备出高反射率A1N／GaN分布布拉格反射镜（DBR）。利用分光光度计测量，在418nm附近最大反射率达到99％。样品表面显微照片显示......
[会议论文] 作者：蔡丽娥,张江勇,尚景智,方辉,刘宝林,张保平,余金中,王启明,
来源：第十届全国MOCVD学术会议 年份：2007
采用光学传输矩阵法推导出多层膜的反射率公式,在此基础上对晶格匹配AlInN/GaN分布布拉格反射镜(DBR)和由其构成的垂直腔面发射激光器(VCSEL)结构进行数值模拟。模拟结果显示...
[期刊论文] 作者：张保平,蔡丽娥,张江勇,李水清,尚景智,王笃祥,林峰,林科闯,
来源：厦门大学学报：自然科学版 年份：2008
作者在我国大陆首次实现了GaN基垂直腔面发射激光器（VCSEL）的激射．首先采用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）技术在蓝宝石衬底上进行高质量氮化物增益区的外延生长．然后在表面沉积高......
[期刊论文] 作者：张保平,蔡丽娥,张江勇,李水清,尚景智,王笃祥,林峰,林科闯,余,
来源：厦门大学学报(自然科学版 年份：2008
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[期刊论文] 作者：张保平,蔡丽娥,张江勇,李水清,尚景智,王笃祥,林峰,林科闯,余金中,王启明,,
来源：厦门大学学报(自然科学版) 年份：2008
作者在我国大陆首次实现了GaN基垂直腔面发射激光器(VCSEL)的激射.首先采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上进行高质量氮化物增益区的外延生长,然后在表面...
[会议论文] 作者：蔡丽娥[1]张江勇[2]尚景智[1]方辉[1]刘宝林[1]张保平[1]余金中[3]王启明[3],
来源：第十届全国MOCVD学术会议 年份：2007
采用光学传输矩阵法推导出多层膜的反射率公式,在此基础上对晶格匹配AlInN/GaN分布布拉格反射镜(DBR)和由其构成的垂直腔面发射激光器(VCSEL)结构进行数值模拟。模拟结果显示...
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