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[期刊论文] 作者：林长贵,崔吾元,
来源：电力电子技术 年份：1993
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[期刊论文] 作者：林长贵,崔吾元,
来源：微电子学 年份：1992
本文采用Si/Si直接键合制备p~+/n~-、n~-/n~-结构的工艺原理及方法。通过实验,摸索出了一种有效的表面清洗-高温处理Si/Si键合工艺;采用该工艺制出了p~+/n~-、n~-/n~-样片;对...
[期刊论文] 作者：邵志标,崔吾元,
来源：自动化仪表 年份：1994
正温度系数温敏二极管系利用特定结构下半导体内载流子产生及其散射机构的热效应而的一种新颖测温器件。文中介绍了该器件的工作原理，结构，制造和主要性能特点。...
[期刊论文] 作者：梁晓菊,李茹,崔吾元,
来源：高校实验室工作研究 年份：2014
通过多次对我校各实验室的安全进行专项检查,尤其是对涉及辐射、化学试剂、微生物及动物等实验室进行了重点检查,归纳出理工科院校实验室存在的不安全因素。针对各种不安全因...
[期刊论文] 作者：林长贵,崔吾元,罗晋生,
来源：微电子学 年份：2004
本文采用Si/Si直接键合制备p~+/n~-、n~-/n~-结构的工艺原理及方法。通过实验,摸索出了一种有效的表面清洗-高温处理Si/Si键合工艺;采用该工艺制出了p~+/n~-、n~-/n~-样片;对...
[期刊论文] 作者：张屏英,崔吾元,朱广良,
来源：半导体技术 年份：1987
本文介绍了用MOS工艺制作的直接栅电场敏感FET,对其敏感特性进行了实验研究和理论分析.室温下,用此器件在空气中检测电场时,在外加电场小于空气击穿场强的范围内,器件的电流-...
[期刊论文] 作者：方培生,刘润民,崔吾元,,
来源：仪表材料 年份：1986
聚偏氟乙烯(PVF_2)是一种压电高聚物.利用PVF_2的压电特性.将它粘贴在MOSFET的栅极上.构成POSFET.在声学波的作用下,产生感应电荷.由此调制MOSFET的沟道电导.从而引起漏源电...
[期刊论文] 作者：张雯,贺永宁,周成波,崔吾元,,
来源：无机材料学报 年份：2011
利用电化学沉积法,通过调节电解液浓度、时间、温度等因素,在氧化铟锡（ITO）导电玻璃上制备了形貌不同的氧化锌（ZnO）纳米薄膜.通过X射线衍射、扫描电镜、透射电镜、光致发光谱等测......
[期刊论文] 作者：齐呜,罗晋生,崔吾元,黄强,
来源：半导体技术 年份：1989
本文介绍了采用NH_3退火热氮化SiO_2薄膜为绝缘栅兼做敏感膜制作H~+-ISFET,其在pH值为2～13的范围内具有较好的线性响应,灵敏度为41.6～47.8mV/pH,典型值为45.7mV/pH.并运用双表...
[期刊论文] 作者：张雯,贺永宁,张庆腾,崔吾元,侯洵,
来源：全国功能陶瓷薄膜和涂层材料研讨会 年份：2009
本文分别利用磁控溅射沉积、溶胶-凝胶浸涂及旋涂等方法在氧铟锡(indium tin oxide,ITO)导电玻璃上得到籽晶层,然后通过低温水热法获得了ZnO纳米线阵列。通过X射线衍射、扫描电镜、透射电镜、光致发光谱等测试手段对不同方法获得的ZnO籽晶和纳米线阵列进行了表......
[期刊论文] 作者：方培生,黄强,何益新,崔吾元,丰达明,
来源：传感器技术 年份：1987
我们采用半导体平面工艺技术,制造栅绝缘膜为Si_3N_4/SiO_2的n沟道耗尽型氢离子敏感半导体器件,再在栅绝缘膜上通过溅射等方法制造一层以季铵盐为活性物质的PVC膜;然后把器...
[会议论文] 作者：李尊朝,尤一龙,张国和,张莉丽,崔吾元,
来源：第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2011
硅纳米线工艺是制造纳米级围栅MOSFET的关键环节。研究了一种采用自上而下方案制造垂直硅纳米线的工艺技术。利用传统光刻技术，将圆形掩模图案转移到硅片表面；采用注入SF6...
[会议论文] 作者：贺永宁,张雯,吴胜利,张景文,崔吾元,朱长纯,
来源：第八届中国纳米科技西安研讨会 年份：2009
在纳米电子及光电子应用领域， ZnO纳米线作为优良的一维宽带隙半导体结构在紫外发光、场致发射、传感器、太阳能电池等方面潜在的应用价值。ZnO纳米线的可控制备和特性研究对...
[期刊论文] 作者：贺永宁,张雯,崔吾元,崔万照,张瑞智,徐友龙,
来源：全国功能陶瓷薄膜和涂层材料研讨会 年份：2009
本文以磁控溅射制备的ZnO纳米晶薄膜作为籽晶层,用水热法在80℃氧化铟锡(indum tin oxide, ITO)玻璃衬底上,实现了大面积ZnO纳米线阵列膜的取向生长,制备了3种金属-半导体-金属(metal-semiconductor-metal,MSM)结构的ZnO半导体纳米线阵列膜样品,测试了薄膜样品......
[期刊论文] 作者：贺永宁,张雯,崔吾元,崔万照,王东,朱长纯,侯洵,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
本文采用高纯锌粉氧化工艺在常压、盲口石英舟及生长温度600℃时得到,形貌一致、产额高的ZnO半导体纳米线粉；将该ZnO半导体纳米线粉分散在PVA中并通过热聚合形成了ZnO半导体纳米线/PVA复合结构膜。研究表明PVA不仅仅为ZnO半导体纳米线提供了隔离和支撑,而且光致......
[会议论文] 作者：张雯[1]贺永宁[2]张庆腾[2]崔吾元[2]侯洵[2],
来源：全国功能陶瓷薄膜和涂层材料研讨会 年份：2009
本文分别利用磁控溅射沉积、溶胶-凝胶浸涂及旋涂等方法在氧铟锡(indium tin oxide,ITO)导电玻璃上得到籽晶层,然后通过低温水热法获得了ZnO纳米线阵列。通过X射线衍射、扫描...
[会议论文] 作者：贺永宁[1]张雯[2]吴胜利[1]张景文[1]崔吾元[1]朱长纯[1],
来源：第八届中国纳米科技西安研讨会 年份：2009
在纳米电子及光电子应用领域， ZnO纳米线作为优良的一维宽带隙半导体结构在紫外发光、场致发射、传感器、太阳能电池等方面潜在的应用价值。ZnO纳米线的可控制备和特性研究对...
[会议论文] 作者：贺永宁[1]张雯[2]崔吾元[1]崔万照[3]张瑞智[1]徐友龙[1],
来源：全国功能陶瓷薄膜和涂层材料研讨会 年份：2009
本文以磁控溅射制备的ZnO纳米晶薄膜作为籽晶层,用水热法在80℃氧化铟锡(indum tin oxide, ITO)玻璃衬底上,实现了大面积ZnO纳米线阵列膜的取向生长,制备了3种金属-半导体-金...
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