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[期刊论文] 作者：徐纯洁,张福刚,崔立加,张雪峰,徐浩,刘日久,李根范,王世凯,
来源：液晶与显示 年份：2017
通过不同感应耦合等离子体刻蚀条件下进行的玻璃基板发生光刻胶变性的位置,研究光刻胶变性与下部电极结构的相关性。研究结果表明：下部电极的Dam区对玻璃基板的冷却效果较差,...
[期刊论文] 作者：查甫德,徐纯洁,李根范,张木,崔立加,冯耀耀,朱梅花,杨增乾,
来源：液晶与显示 年份：2020
为改善TFT特性,采用感应耦合等离子体(ICP)设备进行4-Mask光刻胶(PR)灰化工艺,光刻胶剥离后源/漏数据线边缘、TFT沟道和其他像素区出现了线性的a-Si膜层残留。本文研究了光刻...
[期刊论文] 作者：徐纯洁,张福刚,崔立加,张雪峰,徐浩,刘日久,李根范,王世凯,郑,
来源：液晶与显示 年份：2017
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[期刊论文] 作者：徐纯洁,张福刚,崔立加,张雪峰,徐浩,刘日久,李根范,王世凯,郑载润,,
来源：液晶与显示 年份：2017
通过不同感应耦合等离子体刻蚀条件下进行的玻璃基板发生光刻胶变性的位置,研究光刻胶变性与下部电极结构的相关性。研究结果表明:下部电极的Dam区对玻璃基板的冷却效果较差,...
[期刊论文] 作者：查甫德,徐纯洁,李根范,张木,崔立加,冯耀耀,朱梅花,杨增乾,刘增利,陈正伟,郑载润,,
来源：液晶与显示 年份：2020
为改善TFT特性,采用感应耦合等离子体(ICP)设备进行4-Mask光刻胶(PR)灰化工艺,光刻胶剥离后源/漏数据线边缘、TFT沟道和其他像素区出现了线性的a-Si膜层残留.本文研究了光刻...
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