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[学位论文] 作者：崔起源,,
来源：河北工业大学 年份：2019
Al N在III族氮化物半导体中具有较大的直接带隙,室温下约为6.2e V,是重要的蓝光和紫外发光材料。Al N材料还具有热导率高、电阻率高、击穿场强大、介电系数小等优异性能,在高温、高频、大功率电子器件领域具有极大的潜力。一维Al N纳米材料具有着独特的电学、热......
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