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[学位论文] 作者：巩小亮,
来源： 年份：2011
CIS系太阳电池是最有潜力的薄膜太阳能电池之一,但复杂、难控的CIS系吸收层薄膜的制备技术是其实现大规模产业化的瓶颈。CIS系粉体材料的研发可为吸收层薄膜的制备提供多种简洁的思路,有望大幅度改进薄膜制备工艺、降低生产成本。本论文针对CIS系粉体材料的制备......
[期刊论文] 作者：巩小亮,周继承,
来源：电子元件与材料 年份：2010
CuInSe2（简称CIS）及其衍生物因其优良的光伏特性而成为薄膜太阳能电池领域的研究热点。详细介绍了CIS系粉体的各种制备方法与研究进展,评述了各制备工艺的特点;并介绍了CIS系粉...
[期刊论文] 作者：杨金, 巩小亮, 何永平,
来源：电子工业专用设备 年份：2022
第三代半导体材料SiC具备熔点高、硬度大、稳定性好等特点，其制备工艺需要开发一些独特的工艺装备，主要涉及SiC单晶生长、衬底制备、外延生长和离子注入机及高温氧化炉等芯片制程关键装备。根据Si C技术及产业的发展特点，分析了当前SiC工艺设备特点及应用现状，展望......
[期刊论文] 作者：巩小亮,周继承,李绍文,
来源：应用科技 年份：2011
以金属氯化物、Se粉为原料,在有机溶剂中经过回流反应合成前驱物,再经快速热处理制备了CuInSe2粉末.采用XRD、Raman光谱、TG-DTA、SEM、EDS对前驱物和样品的各种性质及工艺条...
[期刊论文] 作者：王志越,巩小亮,付丙磊,
来源：科技导报 年份：2021
第三代半导体以碳化硅、氮化镓等材料为代表,已经在5G基站、新能源汽车充电桩等新基建领域崭露头角。第三代半导体加工工艺具有高温、高能量、低损伤等特点和要求,决定了其制造装备相对通用半导体制造装备具有独特性。综述了第三代半导体制造装备需求及其国产化......
[会议论文] 作者：巩小亮,魏唯,林伯奇,肖慧,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
使用自主研发的MOCVD设备进行非掺杂GaN外延工艺试验.MOCVD反应室为19×2"结构,垂直格栅式喷淋进气,分段式电阻加热并使用Laytec光学温度监测系统进行控温.采用传统的"低温GaN成核层+高温GaN"的外延工艺,使用蓝宝石平面衬底,高温GaN的生长温度为1060℃,反应室压......
[会议论文] 作者：韩云鑫,巩小亮,陈锋武,丁杰钦,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
AlN has a good application for ultraviolet optoelectronic devices and high power electronics, due to its know n properties of wide direct band gap (～6.1 eV), high temperature stability, and high therm...
[期刊论文] 作者：罗才旺, 陈峰武, 巩小亮, 魏唯, 程文进,,
来源：电子工业专用设备 年份：2019
以MOCVD为研究对象,采用有限元方法研究了喷淋头进气压强、流量、载片盘转速及反应室出口压力对反应室内部流场的影响。结果表明,气体流量及载片盘转速对反应室内部流场具有...
[期刊论文] 作者：程文进,巩小亮,陈峰武,彭立波,魏唯,,
来源：电子工业专用设备 年份：2017
采用自主研制的量产型高温MOCVD设备进行AlN的外延生长,重点研究高温生长对于Al N质量的提升,以及Al N生长速率的控制规律。结果表明：生长温度的提高对于Al N晶体质量的提升和...
[期刊论文] 作者：陈峰武, 巩小亮, 罗才旺, 程文进, 魏唯, 鲍苹,,
来源：电子工业专用设备 年份：2018
高电子迁移率AlGaN/GaN HEMT结构材料的研制一直是GaN基射频微波器件的重要发展方向。采用自主研制的生产型高温MOCVD设备进行AlGaN/GaN HEMT结构材料的生长,通过高温MOCVD外...
[期刊论文] 作者：巩小亮, 陈峰武, 罗才旺, 鲍苹, 魏唯, 彭立波, 程文,
来源：电子工业专用设备 年份：2018
针对Si衬底GaN外延生长中由于张应力引起的表面裂纹问题,采用AlN/Al GaN多缓冲层结构和低温AlN插入层技术,在标准厚度Si（111）衬底上制备了100 mm（4英寸）无裂纹GaN外延材料。试验...
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