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[期刊论文] 作者：庄宝煌,黄美纯,
来源：厦门大学学报：自然科学版 年份：2000
通过关于电力半导体器件 GAT的集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型定量研究了优化设计 GAT的工艺参数和结构参数的关系 ,即抗核辐照器件 GAT的优化设计必要条件...
[期刊论文] 作者：庄宝煌,黄美纯,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2000
建立了 GAT器件集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型 ,定量研究了GAT的栅屏蔽效应的解析表达式 ,并借助计算机对栅屏蔽效应给以证实。该模型可供优化设计双极型高...
[期刊论文] 作者：庄宝煌,黄美纯,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2000
通过作者最近建立的关于ＧＡＴ器件集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型，定量研究了ＧＡＴ的基区穿通电压Ｖｐｉ，前且解释了该器件实现高频率与高电压从的实验结果。......
[期刊论文] 作者：庄宝煌,黄美纯,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2000
通过作者最近的关于电了半导体器件ＧＡＴ的信电结耗尽层电位分析和电场分布的二维解析模型定量研究了ＧＡＴ的雪崩击穿特性，并且定量解释了该器件实现高击穿电压与高电流增益兼容的实验结......
[期刊论文] 作者：庄宝煌,黄美纯,
来源：半导体学报 年份：2000
建立了 GAT器件集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型 ,定量研究了 GAT的栅屏蔽效应和 GAT的基区穿通电压 VPI,并且解释了该器件实现高频率与高电压兼容的实验结果...
[期刊论文] 作者：庄宝煌,黄美纯,
来源：厦门大学学报：自然科学版 年份：1999
通过作者最近建立的关于ＧＡＴ器件集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型，定量研究了ＧＡＴ的基区穿通电压ＶＰＩ以及ＧＡＴ的雪崩击穿特性并且解释了该器件实现高击穿电压与高电流增益兼容的......
[期刊论文] 作者：庄宝煌,黄美纯,
来源：厦门大学学报：自然科学版 年份：1999
建立了ＧＡＴ器件集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型，定量研究了ＧＡＴ的栅屏蔽效应的解析表达式并借助计算机对栅屏蔽效应给以证实。该模型可供优化设计双极型高频、高压、低......
[期刊论文] 作者：庄宝煌,黄美纯,李开航,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2001
通过作者最近建立的关于电力半导体器件GAT的集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型即《GAT栅屏蔽效应二维解析模型》、《GAT实现高频率与高基区穿通电压兼容特性分...
[会议论文] 作者：庄宝煌,吴孙桃,郭生士,
来源：中国物理学会华东六省市年会暨全国凝聚态物理学术会议 年份：2001
阐明笔者在普通物理学教学中的深刻体会,即“让学生从定量分析来理解概念是很有说服力的”....
[期刊论文] 作者：庄宝煌,黄美纯,朱梓忠,李开航,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2000
建立了 GAT器件集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型 ,定量研究了GAT的栅屏蔽效应的解析表达式 ,并借助计算机对栅屏蔽效应给以证实。该模型可供优化设计双极型高...
[期刊论文] 作者：庄宝煌,黄美纯,朱梓忠,李开航,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2000
通过作者最近建立的关于 GAT器件集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型 ,定量研究了 GAT的基区穿通电压 VPI,并且解释了该器件实现高频率与高电压兼容的实验结果。...
[期刊论文] 作者：庄宝煌,黄美纯,朱梓忠,李开航,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2000
通过作者最近建立的关于电力半导体器件 GAT的集电结耗尽层电位分析和电场分布的二维解析模型定量研究了 GAT的雪崩击穿特性 ,并且定量解释了该器件实现高击穿电压与高电流增...
[期刊论文] 作者：庄宝煌,黄美纯,朱梓忠,李开航,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2001
通过作者最近建立的关于电力半导体器件 GAT的集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型即《GAT栅屏蔽效应二维解析模型》、《GAT实现高频率与高基区穿通电压兼容特性分...
[期刊论文] 作者：朱梓忠,黄美纯,张志鹏,李开航,庄宝煌,
来源：厦门大学学报：自然科学版 年份：2001
对复杂材料体系进行量子力学的从头计算一直是材料和物理科学研究的重要方向．采用密度泛函理论和第一原理赝势法，我们对以下一些复杂的体系进行了研究，包括：1)计算了铝中锂，硅，镁等......
[期刊论文] 作者：庄宝煌,黄美纯,朱梓忠,李开航,吴丽清,
来源：半导体学报 年份：2000
建立了 GAT器件集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型 ,定量研究了 GAT的栅屏蔽效应和 GAT的基区穿通电压 VPI,并且解释了该器件实现高频率与高电压兼容的实验结果...
[期刊论文] 作者：庄宝煌,黄美纯,朱梓忠,张志鹏,李开航,吴丽清,
来源：厦门大学学报(自然科学版) 年份：1999
通过作者最近建立的关于GAT器件集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型,定量研究了GAT的基区穿通电压VPI以及GAT的雪崩击穿特性并且解释了该器件实现高击穿电压与高...
[期刊论文] 作者：庄宝煌,黄美纯,朱梓忠,张志鹏,李开航,吴丽清,
来源：厦门大学学报(自然科学版) 年份：2000
通过关于电力半导体器件 GAT的集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型定量研究了优化设计 GAT的工艺参数和结构参数的关系 ,即抗核辐照器件 GAT的优化设计必要条件...
[期刊论文] 作者：庄宝煌,黄美纯,朱梓忠,张志鹏,李开航,吴丽清,
来源：厦门大学学报(自然科学版) 年份：1999
建立了 Ｇ Ａ Ｔ 器件集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型，定量研究了 Ｇ Ａ Ｔ 的栅屏蔽效应的解析表达式并借助计算机对栅屏蔽效应给以证实．该模型可供优化设计双极型高频、......
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