搜索筛选:
搜索耗时1.8644秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 3 篇相符的论文内容
发布年度:
[学位论文] 作者：庸安明,,
来源：东南大学 年份：2017
氮化钨是一种很重要的宽带隙半导体材料。与其他半导体材料相比,氮化钨的化学性质不活泼,并且具有很强的化学键,但是高键能也使得在刻蚀氮化钨时需要比其他半导体材料更高的...
[期刊论文] 作者：庸安明,王佃利,蒋幼泉,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2014
提出了在SF6／CHF3等离子中反应离子刻蚀WN金属层的方法，通过对各工艺参数（功率、压力、流量配比等）对WN刻蚀钻蚀量影响的研究，优化了工艺参数，获得了易于控制的侧向钻蚀量小于0．1μm......
[期刊论文] 作者：刘洪军,王建浩,丁晓明,高群,冯忠,庸安明,严德圣,蒋幼泉,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2014
通过进一步优化芯片设计与工艺设计,研制出L波段370W硅双极型功率晶体管。该器件在42V工作电压下,脉宽150μs,占空比10%,频率1.2~1.4GHz全带内,输出功率可达370 W以上,增益达...
相关搜索：
