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[学位论文] 作者：廖晨光,,
来源：西安电子科技大学 年份：2014
数字移相器作为微波控制电路，是一种能够对信号相位进行控制和调整的功能模块。在卫星技术、微波通信、导弹制导控制、雷达等各领域都有广泛的应用。移相器作为相控阵雷达系统......
[期刊论文] 作者：廖晨光,
来源：电脑 年份：1999
随着计算机技术和网络技术的飞速发展,通过网络互连实现计算机资源共享得到了越来越广泛的应用,如何保护信息资源和数据的安全,成为信息系统亟待解决的问题。一、国内信...
[期刊论文] 作者：廖晨光,
来源：装饰装修天地 年份：2020
当前城市轨道交通建设事业的快速发展,逐渐扩大了地铁建设规模,有效缓解了道路交通压力.在完成地铁车站装饰装修施工作业的过程中,为了丰富其中的技术内涵,高效地完成相应的...
[会议论文] 作者：廖晨光,
来源：第十三届全国计算机安全技术交流会 年份：1998
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[期刊论文] 作者：廖晨光,
来源：广东公安科技 年份：1999
一、引言在信息化高速发展的今天，信息高度共享，网络四通八达，信息安全已成为信息化发展中一个重要问题。如何保证信息的私密性、完整性、不可否认性这三大要素，是网络信息安全中......
[期刊论文] 作者：廖晨光,
来源：广东公安科技 年份：1998
由于计算机技术的迅猛发展，互联网络成爆炸性增长。互联网络的利用率在过去的几年中以每年翻一番的速度递增，连网速度在不断增大，大约每３０分钟互联网络就要增加一个新的网络。各政......
[期刊论文] 作者：廖晨光,
来源：广东公安科技 年份：1999
１．引言随着计算机技术和网络技术的飞速发展，通过网络互连实现计算机资源共享得到了越来越广泛的应用。Ｉｎｔｅｒｎｔ上的公司和社团的保密数据和敏感信息难免遭到主动或被动的攻击，如信息泄露......
[学位论文] 作者：廖晨光,
来源：西安电子科技大学 年份：2019
随着微电子技术的飞速发展，以互补金属氧化物半导体(CMOS)技术为主的集成电路技术已经进入纳米级。特征尺寸的不断减小使得摩尔定律受到严峻挑战。高速系统中物理极限引起的量子效应以及高频信号完整性问题制约了集成电路的发展。取代单核单层设计的多核多层设计......
[期刊论文] 作者：郝敏如,廖晨光,,
来源：数学的实践与认识 年份：2016
介绍了一种Ku波段五位数字移相器,采用PIN二极管作为开关原件,描述了:PIN二极管的开关原理,并给出了电路设计方案及仿真结果.五位移相器由11.25°,22.5°,45°,90°及180°五...
[期刊论文] 作者：廖晨光,郝敏如,
来源：电子科技 年份：2018
文中主要通过模拟仿真了γ射线辐照对单轴应变Si 纳米NMOSFET器件电学特性的影响。仿真分析了不同辐照剂量、结构参数以及物理参数等对阈值电压、隧穿栅电流以及热载流子栅电...
[期刊论文] 作者：廖晨光, 郝敏如,,
来源：电子科技 年份：2018
针对小尺寸器件二级物理效应对集成电路正常工作的影响,同时为了进一步提高集成电路的性能,本文提出了利用Sentaurus TCAD软件仿真进行小尺寸单轴应变Si n型金属氧化物半导体...
[期刊论文] 作者：廖晨光,郝敏如,
来源：电子科技 年份：2018
针对辐照条件下应变集成器件及电路的应用越来越多的问题,文中为了分析研究辐照特性对应变集成器件的影响,主要通过计算机模拟仿真（TCAD）的方法验证了漏斗模型的正确性,分别对......
[期刊论文] 作者：郝敏如,胡辉勇,廖晨光,王斌,赵小红,康海燕,苏汉,张鹤鸣,,
来源：物理学报 年份：2017
基于γ射线辐照条件下单轴应变Si纳米n型金属氧化物半导体场效应晶体管（NMOSFET）载流子的微观输运机制,揭示了单轴应变Si纳米NMOSFET器件电学特性随总剂量辐照的变化规律,同时...
[期刊论文] 作者：戴扬,卢昭阳,党江涛,叶青松,雷晓艺,张云尧,廖晨光,赵武,
来源：现代应用物理 年份：2021
研究了不同反向泄漏电流密度下的GaN基雪崩渡越时间(IMPATT)二极管大信号输出特性.仿真结果表明,IMPATT二极管的交流性能会随着反向泄漏电流密度的增大而显著降低.对IMPATT二极管工作时的内部特性的研究表明,引起IMPATT二极管性能衰减的主要原因是较大的反向泄......
[期刊论文] 作者：戴扬,卢昭阳,叶青松,党江涛,雷晓艺,张云尧,廖晨光,赵胜雷,赵武,
来源：微电子学 年份：2021
提出了一种In0.4Ga0.6N/GaN同型异质结构IMPATT二极管.传统GaN基IMPATT器件中存在P型GaN制造工艺不成熟的问题,本研究方案可成为GaN基IMPATT器件的替代设计方案.详细研究了In0.4Ga0.6N/GaN异质结和PN结两种不同结构IMPATT二极管的直流、交流输出特性.结果 表明,......
[期刊论文] 作者：戴扬,叶青松,党江涛,卢昭阳,张为伟,雷晓艺,张云尧,廖晨光,赵胜雷,赵武,
来源：微电子学 年份：2022
利用p型宽带隙材料SiC替代p型GaN,制作了一种p-SiC/n-GaN异质结双漂移(DDR)IMPATT二极管.对器件的交流大信号输出特性进行数值模拟仿真.结果表明,相比传统GaN单漂移(SDR)IMAPTT二极管,p-SiC/n-GaN新结构DDR器件的击穿电压、最佳负电导、交流功率密度和直流-交流......
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