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[学位论文] 作者：廖远宝,
来源：南京大学 年份：2010
作为一种新型的非挥发性半导体存储器，相变存储器具有高速读写、低功耗、较长寿命以及与CMOS工艺相兼容等优点，被国际半导体界公认为最有希望成为下一代存储器市场的主流产品。......
[期刊论文] 作者：甘新慧,廖远宝,刘东,戴明,徐岭,吴良才,马忠元,徐骏,,
来源：发光学报 年份：2008
CdS是一种直接带隙半导体，室温下其禁带宽度约为2．4eV，是一种良好的太阳能电池窗口层材料和过渡层材料。分别以CdCl2和（NH2）2Cs作为镉源和硫源，用化学淀积法在玻璃上生长CdS纳米薄......
[期刊论文] 作者：廖远宝,徐岭,杨菲,刘文强,刘东,徐骏,马忠元,陈坤基,,
来源：物理学报 年份：2010
采用射频磁控溅射方法制备了两种用于相变存储器的Ge1Sb2Te4和Ge2Sb2Te5相变薄膜材料,对其结构、电学输运性质和恒温下电阻随时间的变化关系进行了比较和分析.X射线衍射(XRD)...
[期刊论文] 作者：戴明,廖远宝,刘东,甘新慧,徐岭,马忠元,徐骏,陈坤基,,
来源：物理学报 年份：2009
用湿化学法在水溶液中合成了单分散的、大小尺寸可控的、巯基包裹的胶体CdTe纳米晶体,并利用CdTe纳米晶体和双功能分子poly(diallyldimethylammonium chloride)(PDDA)在Si衬...
[期刊论文] 作者：徐政,吴素贞,徐海铭,廖远宝,吴锦波,彭时秋,赵文彬,
来源：微电子学 年份：2021
仿真研究了300 V抗辐射功率VDMOS器件在不同缓冲层浓度、不同LET值下单粒子烧毁(SEB)效应的温度特性.结果 表明,SEB的温度特性与LET值相关,LET值较小时(0.1 pC/μm),SEB电压呈正温度系数特性;LET值较大时(1 pC/μm),SEB电压呈负温度系数特性.重点分析了1 pC/μm......
[期刊论文] 作者：刘文强,仝亮,徐岭,刘妮,杨菲,廖远宝,刘东,徐骏,马忠元,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2011
利用磁控溅射方法制备了Ge1Sb2Te4和Ge2Sb2Te5两种相变存贮材料的薄膜。原位X射线衍射（XRD）的结果表明，随着退火温度的升高，Ge1Sb2Te4和Ge2Sb2Te5薄膜都逐步晶化，材料结构发生了从...
[期刊论文] 作者：刘文强,仝亮,徐岭,刘妮,杨菲,廖远宝,刘东,徐骏,马忠元,陈坤基,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2011
利用磁控溅射方法制备了Ge_1Sb_2Te_4和Ge_2Sb_2Te_5两种相变存贮材料的薄膜。原位X射线衍射(XRD)的结果表明,随着退火温度的升高,Ge_1Sb_2Te_4和Ge_2Sb_2Te_5薄膜都逐步晶化...
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