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[期刊论文] 作者：张佐兰,
来源：电子器件 年份：1990
半导体光电子器件大致分为两类:一类是将电能转变为光能的发光器件;一类是把光能转变为电能的光敏元器件.这些光电器件在工业自动控制、家用电器、少年科技模型和儿童玩...
[期刊论文] 作者：张佐兰,
来源：电子工艺技术 年份：1989
AIN薄膜是一种高温绝缘膜和半导体器件的钝化膜,特别适用于超高频表面波器件,是有很大的应用潜力和发展前景的材料。本文主要介绍AIN薄膜的特性、制备方法和应用。...
[期刊论文] 作者：张佐兰,
来源：半导体技术 年份：1994
本文较全面地介绍ＳＤＢ／ＳＯＩ技术，其中包括热键合机理和工艺、硅片减薄技术的机理和工艺以及ＳＯＩ材料的质量检验和分析。...
[期刊论文] 作者：张佐兰,
来源：上海半导体 年份：1994
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[期刊论文] 作者：张佐兰,,
来源：电子工艺技术 年份：1991
本文简要介绍硅片直接键合和它的减薄技术以及该技术在微电子学中的应用。...
[期刊论文] 作者：张佐兰,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1990
本文介绍制备10μm以下硅膜的新技术——电8化学腐蚀自停止技术.并讨论光照、欧姆接触和pn结空间电荷区等因素对腐蚀特性的影响....
[期刊论文] 作者：张佐兰,
来源：上海半导体 年份：1992
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[期刊论文] 作者：张佐兰,
来源：电子工艺技术 年份：1991
1 引言光敏元器件是当前和今后实现遥感遥测、自动控制,实现非电量与电量信息转换的关键元器件,是电子计算机信息获得或实现智能控制必不可少的元器件。随着军事尖端技...
[期刊论文] 作者：张佐兰,
来源：电子器件 年份：1991
半导体表面钝化方法很多,但使用最广泛的是PSG膜.本文将着重讨论PSG膜钝化机理、膜的厚度及其磷含量的设计和控制....
[期刊论文] 作者：张佐兰,
来源：半导体光电 年份：1992
CdS 是用于制作太阳电池和光电探测器等的Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体材料之一。CdS薄膜制备方法有蒸发,溅射,化学汽相淀积等。实验证明其特性与制备方法有关,本文重点介绍 MOCVD...
[期刊论文] 作者：张佐兰,
来源：半导体光电 年份：1994
描述用ＳＯＩ技术制造的光耦合ＭＯＳ继电器和多量子阱长波和红外探测器，以及集成异质结晶体管和激光二管于一体的高增益，高灵敏的光电子开关器件，文中着重介绍这些器件的结构，制造工和器件特......
[期刊论文] 作者：张佐兰,
来源：微电子学与计算机 年份：1990
利用硅在40%KOH水溶液中的电化学腐蚀及其在pn结处的腐蚀自停止效应,使硅片进行大面积均匀减薄,获得了厚度为3～5μm 和1μm,均匀性分别为0.3μm 和0.1μm 的SOI/SDB 材料....
[期刊论文] 作者：张佐兰,
来源：传感器技术 年份：1991
本文简要介绍了硅片直接键合(SDB)技术和pn结自停止电化学腐蚀减薄新技术以及该技术在传感器中的应用。...
[期刊论文] 作者：张佐兰,
来源：传感器技术 年份：1989
半导体光电元件大致分为两类:一类是将电能转换为光能的发光元件;一类是把光能转换为电能的光敏元件。这些光电元件在工业自动控制、家用电器、少年科技模型和儿童玩具...
[期刊论文] 作者：张佐兰,,
来源：河北企业 年份：2004
企业财会工作“变革”是市场经济体制的客观要求。在以市场经济为导向的转换企业经营机制的改革中，出现了很多传统计划经济体制下不可能出现的新情况、新问题。企业内部以及企......
[期刊论文] 作者：张佐兰,,
来源：半导体光电 年份：1993
重点介绍Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体薄膜的特性，特别是ＣｄＳ和ＣｄＳｅ。利用密封空间汽化传输技术制作的ＣｄＳ薄膜具有低的电阻（３００Ｋ时，σ为０．８８～１．３４Ω＾－１·ｃｍ＾－１）、高的载流子迁移率。Ｘ射线衍射仪分析表明：在（００２）面择优生长，薄膜......
[期刊论文] 作者：张佐兰,
来源：电力电子技术 年份：1990
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[期刊论文] 作者：张佐兰,
来源：材料科学进展 年份：1990
本文介绍高精度控制 Si 膜厚度的电化学腐蚀自停止新技术。讨论光照和电极欧姆接触等对腐蚀特性的影响,以及所得 Si 膜的质量。This article describes a new technique fo...
[期刊论文] 作者：张佐兰,,
来源：电子工艺技术 年份：1990
PSG膜是最早应用于半导体器件的表面钝化技术,随着电子工业的发展,逐渐应用于掺杂技术和表面平坦化技术,本文对这三方面的应用作简要分析。...
[期刊论文] 作者：张佐兰,,
来源：电子工艺技术 年份：1986
近年来发展起来的激光化学,作为一种新工艺正在平面工艺和薄膜加工等方面得到广泛的应用。对微电子器件制造已显示出它是一种有潜力的材料加工工具,主要包括腐蚀、淀积和掺杂...
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