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[学位论文] 作者:张军然,, 来源:南京大学 年份:2017
最近几十年,随着人类迈入快速发展的电子信息时代,信息科学对电子材料及器件的要求越来越高。速度更快、能耗更低、存储密度更高等性能优异的电子器件成为研究的热点,而电子...
[学位论文] 作者:张军然,, 来源:青岛大学 年份:2004
弛豫铁电体(PMN-PT)由于具有优异的介电、压电、电光、电致伸缩和热释电等性能,在多层电容器、驱动器、电光调制器、超声换能器和红外探测器等方面都有诱人的应用前景。本论...
[期刊论文] 作者:陈强, 张勇, 张军然, 徐永兵,, 来源:电子与封装 年份:2019
高频通信采用的微波高频覆铜板在制作材料的选用时,需要小的介电常数和介电损耗,一般采用PTFE(聚四氟乙烯)作材料,PTFE不沾任何材料且具有较大的热膨胀系数,混入FEP(聚四氟乙...
[期刊论文] 作者:张军然,韩全友,原丰勇,, 来源:客车技术与研究 年份:2014
主要介绍汽车动力总成悬置系统性能的评价方法,包含设计阶段的解耦目标分析、动力总成刚体模态分析,重点分析整车阶段基于试验的悬置系统隔振率与整车振动的关系,得出针对悬置系......
[会议论文] 作者:张军然,王学锋,徐永兵, 来源:中国物理学会2015年秋季会议 年份:2015
  我们用PLD方法在不同氧气分压下生长了Fe3O4薄膜,RHEED显示我们在不同氧分压下得到的Fe3O4薄膜都为准二维单晶结构,这优于一些用MBE方法生长的Fe3O4薄膜质量[1].随着氧压...
[会议论文] 作者:张军然,王学锋,徐永兵, 来源:中国物理学会2016年秋季会议 年份:2016
拓扑量子材料由于奇特的能带结构和优异的性能而广受关注,它在动量空间中导带和价带的连接处是一个点或一条线。拓扑半金属可以认为是一种打破了时间反演或反转对称性的三维的石墨烯。拓扑半金属在量子领域将会有极其广泛的应用。......
[期刊论文] 作者:廖武,韩全友,张军然,原丰勇,, 来源:客车技术与研究 年份:2014
对发动机动力总成悬置的动刚度和静刚度参数的确定及相互关系进行阐述,提出动力总成悬置匹配计算中关于动、静刚度的一般选取原则,指出影响动刚度值的因素主要有频率、预载荷...
[期刊论文] 作者:张勇,陈强,冯澍畅,张军然,徐永兵, 来源:电子与封装 年份:2019
主要介绍制备微波高频PCB覆铜板时,PTFE树脂中FEP乳液体积浓度对浸渍玻纤布树脂含量的影响,以及对制作的pp(Pre-pregnant)介电常数(Dk)和介电损耗(Df)的影响。试验显示,随着...
[期刊论文] 作者:张军然,张永成,卢朝靖,陈静,李玉玲,, 来源:青岛大学学报(自然科学版) 年份:2014
分别用行星球磨法、高能球磨法和溶胶一凝胶法制备了PMN—PT粉体,并测量了粉体的物相、形貌和粒度分布。用行星球磨法得到粉体的平均二次粒径最大,该粉体压制的陶瓷坯体需要的......
[会议论文] 作者:吕占朋;张军然;王学锋;徐永兵;张荣;, 来源:中国物理学会2015年秋季会议 年份:2015
  “自旋电子学”的根本是电子电荷和自旋的协同组合,通过同时有效地利用自旋和电荷两个自由度有望实现全新的电子器件[1].稀磁半导体因为它们在创新磁电子应用的巨大潜力而......
[期刊论文] 作者:吕占朋,张军然,钮伟,张敏昊,宋丽,朱海荣,王学锋,, 来源:Chinese Physics B 年份:2016
Nd-doped In_2O_3 nanowires were fabricated by an Au-catalyzed chemical vapor deposition method.Nd atoms were successfully doped into the In_2O_3 host lattice st...
[期刊论文] 作者:吕占朋,张军然,钮伟,张敏昊,宋丽,朱海荣,王学锋,, 来源:Chinese Physics B 年份:2016
Nd-doped In_2O_3 nanowires were fabricated by an Au-catalyzed chemical vapor deposition method.Nd atoms were successfully doped into the In_2O_3 host lattice structure,as revealed by energy dispersive...
[期刊论文] 作者:张军然,吴振尧,刘玉杰,吕占朋,钮伟,王学锋,杜军,刘文卿,, 来源:中国物理快报:英文版 年份:2015
[期刊论文] 作者:张军然,吴振尧,刘玉杰,吕占朋,钮伟,王学锋,杜军,刘文卿,张荣,徐永兵,, 来源:Chinese Physics Letters 年份:2015
Fe-doped In_2O_3 dilute magnetic semiconducting nanowires are fabricated on Au-deposited Si substrates by the chemical vapor deposition technique.It is confirme...
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