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[期刊论文] 作者：屠海令,张峰翊,
来源：稀有金属 年份：1998
采用非接触工激光／微波光电导衰减技术对Φ５０．８ｍｍ双面抛光的半绝缘ＧａＡｓ晶片的复合寿命进行了无损伤检测，得到了有效载流子寿命沿晶片直径的径向分布曲线。结果表明，复合寿命为几面纳秒，在径......
[期刊论文] 作者：张峰翊,黄宇营,
来源：北京同步辐射装置年报 年份：1998
通过同步X光荧光（SXRF）成分分析，定性地研究了在0．5atm、0.6atm、0.7atm As压下1150℃进行退火处理后衬底化学与比的变化。结果表明：控制As压可以改变化学配比，在足够As压下的高温...
[期刊论文] 作者：张峰翊,田玉莲,等,
来源：北京同步辐射装置年报 年份：1998
利用同步X光透射形貌技术，研究了液封直拉（LEC）、水平布里支曼（HB）、垂直梯度凝固（VGF）三种生长技术制备的Φ2"晶片的位错缺陷。发现LEC晶体中缺陷明显高于HB、VGF晶体，VGF缺陷缺陷最......
[期刊论文] 作者：詹琳,苏小平,张峰翊,李金权,,
来源：人工晶体学报 年份：2008
在VGF法生长GaAs晶体的过程中固液界面凹向晶体，很容易在坩埚圆锥面处生长多晶。本文采用专业晶体生长模拟软件CrysVUn对实验温场进行了计算机模拟并提出改进方案，把底加热器取...
[期刊论文] 作者：宇慧平,隋允康,张峰翊,常新安,
来源：半导体学报 年份：2005
采用低雷诺数K-ε紊流模型，考虑自然对流、晶体旋转和坩埚旋转等因素，对晶体直径为300mm，磁场强度变化范围在0～0．12T条件下，熔体硅内流场及氧的浓度分布、磁场分布等作了数值模拟．计......
[期刊论文] 作者：宇慧平,隋允康,张峰翊,王学锋,
来源：人工晶体学报 年份：2003
为了数值模拟提拉(又名Czochralski)法获得单晶体的生长过程,本文采用有限容积法离散控制方程,采用非均匀的交错网格避免不合理的振荡压力场,采用三阶精度QUICK (Quadratic U...
[期刊论文] 作者：宇慧平,隋允康,张峰翊,王学锋,
来源：人工晶体学报 年份：2004
本文给出了提拉单晶硅时,勾形磁场强度的计算公式,并对单晶硅在有无勾形磁场情况下熔体内流场和氧的浓度分布进行了数值模拟,计算出磁场作用下磁场强度和洛伦兹力及有无磁场...
[会议论文] 作者：张峰翊,屠海令,王永鸿,钱嘉裕,
来源：1998年中国材料研讨会 年份：1998
通过同步Ｘ光荧光（ＳＸＲＦ）成分分析，定性地研究了在０．５ａｔｍ、０．６ａｔｍ、０．７ａｔｍ（１ａｔｍ１０〈’５〉≈ＰａＡｓ压下１１５０℃进行退火处理后衬底化学配比的变化。结果表明：控制Ａｓ压可以改变化学配比，在足够Ａｓ压下的高温退火将改善化学配比均匀性。......
[期刊论文] 作者：宇慧平,隋允康,张峰翊,常新安,安国平,
来源：人工晶体学报 年份：2004
本文采用紊流模型对提拉大直径单晶硅时,对晶体旋转、坩埚旋转及二者共同作用三种情况下,熔体内的流线、等温线、氧的浓度分布、紊流粘性系数、紊动能等作了数值模拟,发现晶...
[期刊论文] 作者：宇慧平,隋允康,张峰翊,常新安,安国平,
来源：无机材料学报 年份：2005
直径300mm硅片的生产技术是当今硅材料生产研究的重要方向之一，而晶体生长界面的形状、温度分布、晶体中氧的浓度和均匀性等对熔体流动状态十分敏感，采用实验的方法来测量熔体......
[期刊论文] 作者：宇慧平,隋允康,张峰翊,常新安,安国平,
来源：无机材料学报 年份：2005
直径300mm硅片的生产技术是当今硅材料生产研究的重要方向之一,而晶体生长 界面的形状、温度分布、晶体中氧的浓度和均匀性等对熔体流动状态十分敏感,采用实验的方 法来测量...
[期刊论文] 作者：屠海令,张峰翊,王永鸿,钱嘉裕,马碧春,
来源：稀有金属 年份：2004
采用非接触式激光/微波光电导衰减技术 (LM-PCD) 对Φ50.8 mm双面抛光的半绝缘GaAs晶片的复合寿命进行了无损伤检测, 得到了有效载流子寿命沿晶片直径的径向分布曲线. 结果表...
[期刊论文] 作者：张峰翊,屠海令,钱嘉裕,王永鸿,宋萍,王敬,
来源：Rare Metals 年份：2000
The damaged and strain subsurface layers of semi insulating(SI) GaAs substrate were characterized non destructively by Raman back scattering.The study shows...
[会议论文] 作者：屠海令, 郑安生, 张峰翊, 邓志杰, 王永鸿, 钱嘉裕,,
来源： 年份：2004
随着信息技术的发展,化合物半导体材料在微电子和光电子学中发挥越来越重要的作用。以砷化镓(GaAs)为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料正沿着大直径、高质量、低成本方向迅速发...
[会议论文] 作者：屠海令, 郑安生, 张峰翊, 邓志杰, 王永鸿, 钱嘉裕, 韩庆,
来源：第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集 年份：2001
...
[期刊论文] 作者：李金权,苏小平,那木吉拉图,黎建明,张峰翊,李楠,杨海,,
来源：人工晶体学报 年份：2008
本文采用专业晶体生长模拟软件CrysVUn对泡生法生长大尺寸蓝宝石单晶进行了计算机模拟。分析了气体压力对泡生法生长蓝宝石单晶的温场、气体速度场的影响。结果发现在气压P≥...
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