勾形磁场下直径300mm CZ Si熔体中氧浓度分布的数值模拟

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jerryymy

【摘要】

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采用低雷诺数K-ε紊流模型，考虑自然对流、晶体旋转和坩埚旋转等因素，对晶体直径为300mm，磁场强度变化范围在0～0．12T条件下，熔体硅内流场及氧的浓度分布、磁场分布等作了数值模拟．计

【作者】

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宇慧平隋允康张峰翊常新安

【机构】

：

北京工业大学机电学院,北京有色金属研究总院,北京工业大学材料学院

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2005年3期

【关键词】

：

单晶硅勾形磁场氧浓度紊流模型 CZ Si cusp magnetic field oxygen distribution turbulence model

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采用低雷诺数K-ε紊流模型，考虑自然对流、晶体旋转和坩埚旋转等因素，对晶体直径为300mm，磁场强度变化范围在0～0．12T条件下，熔体硅内流场及氧的浓度分布、磁场分布等作了数值模拟．计算中采用有限体积法，运用SIMPLE(semi—implicit method for pressure linked equations)算法耦合压力和速度场，动量方程、能量方程中对流项的离散采用QUICK(quadratic upwind interpolation of convective kinematics)格

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