搜索筛选:
搜索耗时2.7656秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 7 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：刘方,孙晨,张故万,
来源：集成电路应用 年份：2021
在CCD芯片制作中,出现金属层脱落的现象,通过分析金属层脱落的原因,开展工艺验证实验,采取相应改进措施,成功解决了金属层脱落的问题,使得金属层制备的工艺集成能力和芯片成...
[期刊论文] 作者：张故万,袁安波,雷仁方,,
来源：半导体光电 年份：2012
分析了薄膜淀积工艺、光刻工艺和刻蚀工艺过程中引入的颗粒对光刻图形完整性的影响。采用三相三次多晶硅工艺,光刻制备沟阻或多晶硅时,颗粒阻碍曝光和刻蚀,引起沟阻或多晶硅...
[期刊论文] 作者：张故万,汪凌,吴可,伍明娟,,
来源：半导体光电 年份：2008
采用正交试验方法进行了用于CCD栅复合介质的SiO2和Si3N4厚度的配比实验,研究了退火温度和退火气氛对复合介质界面态的影响,获得了最佳的复合介质SiO2与Si3N4的厚度配比,使得...
[期刊论文] 作者：龙飞,张故万,吴可,廖乃鏝,李仁豪,,
来源：半导体光电 年份：2013
针对大面阵CCD成像黑缺陷多的特点,从机理和制作工艺上进行了分析研究。结果表明,CCD成像黑缺陷主要由光刻工艺缺陷引起。光刻LOCOS、地和沟阻工艺中产生的浮胶是CCD成像黑缺...
[期刊论文] 作者：张故万,宋爱民,雷仁方,高燕,罗春林,伍明娟,,
来源：半导体光电 年份：2009
采用低压化学气相淀积系统,分别采用硅烷和二氯二氢硅作为反应气体源与氨气反应,制备了S3N4薄膜,并对其特性进行了比较。实验结果表明,采用二氯二氢硅源与氨气反应制备的薄膜...
[期刊论文] 作者：李平,郑杏平,李仁豪,雷仁方,许宏,韩恒利,陈捷,张故万,汪,
来源：半导体光电 年份：2008
对电荷耦合器件（CCD）交流成像中存在的背景发白、亮条、亮点、拖影和固定图像噪声等不良背景进行了分析，并提出了调整栅介质生长方法、本征吸杂、低温退火等消除不良背景的具体......
[期刊论文] 作者：李平,郑杏平,李仁豪,雷仁方,许宏,韩恒利,陈捷,张故万,汪琳,,
来源：半导体光电 年份：2008
对电荷耦合器件(CCD)交流成像中存在的背景发白、亮条、亮点、拖影和固定图像噪声等不良背景进行了分析,并提出了调整栅介质生长方法、本征吸杂、低温退火等消除不良背景的具...
相关搜索：
