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[会议论文] 作者：张曦;刘诺;,
来源：四川省电子学会半导体与集成技术专委会2008年度学术年会 年份：2008
基于密度泛函理论的第一性原理计算了(111)方向氢饱和硅纳米线的电子结构特性，能带计算结果表明硅纳米线与体硅不同，导带最小值和价带最大值均出现在G点(即Γ点。布里渊区000点...
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