搜索筛选:
搜索耗时3.4795秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 14 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：陈大任,张望重,
来源：无机材料学报 年份：2000
在研制由钨青铜型压电陶瓷分立驱动器组装成特种圆环状压电驱动器中，发现组装后横向位移模圆环驱动器的位移量呈现异常的变化，它的位移量比分立器件的增加可达～３０％，对组成、器件制备......
[期刊论文] 作者：陈大任,张望重,
来源：上海硅酸盐 年份：1994
...
[期刊论文] 作者：张望重,陈大任,
来源：上海硅酸盐 年份：1991
...
[期刊论文] 作者：张望重,陈大任,朱精敏,
来源：功能材料 年份：2000
介绍了d31 横向伸缩模式压电微位移驱动器的制作过程 ,应用高稳定的填满钨青铜型压电陶瓷作为该器件制备的基料 ,利用P -F干涉仪原理测量了电场 -位移特性曲线 ,由此计算了压电常数d31 ,并进行了讨论。该器件具有电控应变 (位移 )线性度高、滞后量小以及结构简......
[期刊论文] 作者：陈大任,张望重,朱梅根,
来源：无机材料学报 年份：2004
在研制由钨青铜型压电陶瓷分立驱动器组装成特种圆环状压电驱动器中，发现组装后横向位移模圆环驱动器的位移量呈现异常的变化，它的位移量比分立器件的增加可达30%.对组成、器件......
[会议论文] 作者：陈大任;李国荣;张望重;,
来源：第三届中国功能材料及其应用学术会议 年份：1998
对填满钨青铜结构压电陶瓷[Pbx（BaSr）]（NaLi）NbO（x=0．64）的电场（s）-应变（E）关系进行了研究。结果表明，该陶瓷的S-E线性极为良好，在低电场下不存在钙钛矿型PZT系陶瓷固有的产生不可逆90°畴......
[期刊论文] 作者：张望重,李国荣,郑嘹赢,殷庆瑞,
来源：功能材料 年份：2004
采用压电陶瓷粉体厚膜流延成型工艺和陶瓷内电极共烧技术制成了一种圆环状多层膜结构的压电陶瓷片,用它代替以往圆环状单片压电陶瓷片后,其压电加速度的灵敏度大幅度提高.本...
[期刊论文] 作者：何晓明,陈大任,李国荣,张望重,刘胜利,
来源：功能材料 年份：1998
用流延工艺制备了ＺｎＯＢｉ２Ｏ３系统的多层独石式片状结构的ＺｎＯ压敏电阻器，测量了元件的电学性能，结果表明：用常规ＺｎＯ瓷料，选用合适的厚膜制备工艺和内电极材料能得到性能良好的低压ＺｎＯ压敏电阻器。......
[期刊论文] 作者：朱志刚, 李宝山, 李国荣, 张望重, 殷庆瑞,,
来源：无机材料学报 年份：2005
研究了不同烧结温度对Pb(Mn1/3Sb2/3)O3-PbZrO3-PbTiO3(PMS-PZT)系压电陶瓷显微结构和压电性能的影响.实验结果表明:在1240℃、2h条件下烧结,能获得最优的综合性能:εr=1530...
[期刊论文] 作者：初宝进,李国荣,殷庆瑞,张望重,陈大任,,
来源：物理学报 年份：2001
研究了非化学计量和掺杂对无铅压电陶瓷(Na1/2Bi1/2)0.92Ba0.08TiO3的压电性能及去极化温度的影响.研究发现A位非化学计量可以提高陶瓷的压电性能;B位掺杂对材料电学性能的影...
[期刊论文] 作者：李国荣, 陈大任, 张望重, 张申, 沈卫, 殷庆瑞,,
来源：硅酸盐学报 年份：1999
采用压电陶瓷流延厚膜成型技术以及厚膜与金属内电极共烧技术制备了逆压电效应下工作的多层片式压电陶瓷微位移驱动器． 该器件具有工作电压低、功耗小、响应快、器件尺寸微小......
[会议论文] 作者：李国荣,陈大任,沈卫,张望重,张申,殷庆瑞,
来源：第三届中国功能材料及其应用学术会议 年份：1998
采用陶瓷坯膜流延成型和陶瓷坯膜／金属内电极共烧技术，制作了多层片式高合铅PzT压电陶瓷微位移器。获得了体积小、电压低位移量大（38V，1.05μm）的多层片式微位移器。对器件在直流......
[期刊论文] 作者：曾华荣,李国荣,张望重,江向平,陈大任,殷庆瑞,
来源：化学学报 年份：2001
利用异丙醇钛与长链羧酸合成了一种化学键分散剂,采用沉降实验及FT-IR技术研究了该分散剂在PZN-PZT浆料中的分散性能.结果表明,该分散剂在PZN-PZT浆料中具有良好的分散性,浆...
[期刊论文] 作者：江向平,廖军,魏晓勇,张望重,李国荣,陈大任,殷庆瑞,
来源：无机材料学报 年份：2004
在多层压电器件的研制过程中，为实现压电陶瓷和Ag/Pd内电极的共烧结，本文对中温1100～1140°C范围烧成的PZN-PZ-PT系压电陶瓷的电性能进行了研究，结果表明，保温时间对该组成的压电......
相关搜索：
