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[期刊论文] 作者：张果虎,常青,
来源：稀有金属 年份：1997
Φ１２５ｍｍ硅单晶的控氧技术张果虎常青方锋吴志强郝玉清秦福（北京有色金属研究总院，北京１０００８８）关键词：硅单晶氧含量控氧技术坩埚结构１引言为满足不同的器件对硅片氧含量的不同要求，需要更精确地......
[期刊论文] 作者：张果虎,常青,
来源：稀有金属 年份：1998
在全自动拉晶条件下，讨论了拉制Φ２００ｍｍ硅单晶遇到的新问题。热场配置、工艺参数的选择、石英坩埚泊选用等有了更严格的要求。合理的轴向温度梯度和径向温度梯度、低拉速、低晶转瘃......
[会议论文] 作者：张果虎,常青,
来源：第九届全国半导体集成电路、中国有色金属学会硅材料学术会议 年份：1995
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[期刊论文] 作者：张果虎,吴志强,等,
来源：半导体学报 年份：2001
讨论了300mm硅单晶的工艺控制，分析了拉晶工艺、热屏及磁场对晶体质量的影响。合理的工艺参数是拉制无位错单晶的前提，热屏和磁场的有效控制了晶体的氧含量和微缺陷。...
[期刊论文] 作者：郝玉清,张果虎,
来源：稀有金属 年份：1998
为控制氧径向均匀性，选择Φ３５０ｍｍ热场。增加晶转速度可以改善氧径向均匀性，但石英坩埚转速对氧径均匀性没有明显影响。...
[会议论文] 作者：方锋,张果虎,吴志强,
来源：1998年全国半导体硅材料学术会议 年份：1998
磁场应有和在直接硅单晶的生长系统上（ＭＣＺ）能有效地掏硅熔体之热对流，降低晶体中的氧含量，该文在分析“勾型”磁场分布特点的基础上，制定相庆的拉晶工艺参数，达到控制晶体的氧含量和提......
[会议论文] 作者：吴志强,张果虎,常青,方锋,
来源：第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：1999
该文讨论了Φ３００ｍｍ硅单晶生长中新问题，分析了热对流、热场、拉晶工艺以及设备控制对晶体生长的影响，磁场条件和设备稳定控制是Φ３００ｍｍ硅单晶生长的基本条件，热场配置和拉晶工艺是控制大直......
[期刊论文] 作者：张果虎, 肖清华, 马飞,
来源：中国工程科学 年份：2020
硅片是半导体关键的基础材料，我国半导体硅片对外依存度较高，增强硅片的自主保障能力，对提升我国半导体产业整体水平至关重要。本文重点围绕市场主流的8 in、12 in硅片，分析了全球半导体硅片的技术和产业发展现状，研判了全球半导体硅片产业未来的发展趋势，重点分析了......
[会议论文] 作者：郝玉清,张果虎,方锋,吴志强,
来源：1998年全国半导体硅材料学术会议 年份：1998
该文研究了直拉硅单晶氧径向均匀性与石英埚转速变化的关系。在单晶生长初期。石英埚转速变化对氧径向均匀性没有影响。但在单晶生长后期。石英埚转速增加导致氧径向均匀性变...
[会议论文] 作者：赵晶,陈文杰,张果虎,奏福,
来源：第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：1999
该文从分析内圆刀片工作时切削受力入手，从刀片定位、预拉伸、监控、冷却及补偿和修整几方面讨论，如何减少切削阻力，提供高质量硅片。...
[会议论文] 作者：郝玉清,方锋,吴志强,张果虎,
来源：1998年全国半导体硅材料学术会议 年份：1998
该文研究了直拉硅单晶氧含量与拉晶埚位的关系。埚位高，单晶头部氧含量较高；埚位低，单晶头部氧含量较低。...
[期刊论文] 作者：张果虎,常青,方锋,吴志强,周旗钢,
来源：稀有金属 年份：1998
在全自动拉晶条件下，讨论了拉制Φ２００ｍｍ硅单晶遇到的新问题。热场配置、工艺参数的选择、石英坩埚的选用等有了更严格的要求。合理的轴向温度梯度和径向温度梯度、低拉速、低晶转及......
[期刊论文] 作者：曾世铭,常青,王锻强,张果虎,
来源：稀有金属 年份：1995
通过热场实验、拉晶参数实验与电阻率控制实验，研究了重掺砷＜１１１＞硅单晶的位制工艺，制备出无位错的Φ１００ｍｍ单晶，成品率达３３．８５％。还探讨了简便、高效的砷毒防护方法。Through the experiments......
[期刊论文] 作者：卢立延,曹孜,孙燕,张果虎,刘伟,
来源：世界有色金属 年份：2002
文章对大直径表面平整度检测中的纳米形貌概念作了说明,对纳米形貌与平整度、微粗糙度及比较作了叙述,指出了纳米形貌的形成原因及影响。In this paper, the concept of na...
[会议论文] 作者：万关良,方锋,郝玉清,吴志强,张果虎,
来源：第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：1999
通过拉晶实验，发现热对流、晶转、拉速等对掺磷Ｎ〈ｌｌｌ〉高阻硅单晶径向电阻率均匀性影响很大。热对流小，晶转快，拉速大能有效提高单晶径向电阻率均匀性。...
[会议论文] 作者：万关良,方锋,吴志强,郝玉清,张果虎,
来源：1998年全国半导体硅材料学术会议 年份：1998
通过拉晶实验，研究了炉室气压、拉晶速率和成晶时间等晶体生长工艺条件对直拉重掺锑单晶电阻率的影响。实验结果表明，炉室气压、拉晶速率和成晶时间对电阻率影响很大，推导一经验......
[期刊论文] 作者：张果虎,常青,方锋,吴志强,郝玉清,秦福,
来源：稀有金属 年份：1997
Φ１２５ｍｍ硅单晶的控氧技术张果虎常青方锋吴志强郝玉清秦福（北京有色金属研究总院，北京１０００８８）关键词：硅单晶氧含量控氧技术坩埚结构１引言为满足不同的器件对硅片氧含量的不同要求，需要更精确地......
[会议论文] 作者：肖清华,张果虎,冯泉林,闫志瑞,库黎明,
来源：2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份：2014
本文研究了硅片在多次热循环工艺前后的表层变化，确定了硅片精密机械加工后在浅表层遗留的残余损伤会在热工艺后演化成缺陷，验证了调整精密加工工艺后的效果，同时开展了浅表层微缺陷的红外消光法、氧化层错试验表征研究，确定了这两种方法的表征可行性。......
[会议论文] 作者：万关良,方锋,郝玉清,吴志强,张果虎,
来源：第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：1999
通过拉晶实验，发现热对流、晶转、拉速等对掺磷Ｎ〈ｌｌｌ〉高阻硅单晶径向电阻率均匀性影响很大。热对流小，晶转快，拉速大能有效提高单晶径向电阻率均匀性。...
[期刊论文] 作者：肖清华,屠海令,王敬,周旗钢,张果虎,
来源：半导体学报 年份：2003
把不同面向的注氢硅片制成横截面样品，在高分辨率透射电子显微镜下进行观察，发现衬底面向对其中的微结构有明显的影响．首先表现为衬底中主要出现平行于正表面的氢致片状缺陷，即(1......
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