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[期刊论文] 作者：张甫权,
来源：真空电子技术 年份：1990
已对一种类钙钛矿单晶衬底材料做了研究,它允许外延生长1-2-3超导薄膜,同时具有所需的射频特性:低的介电常数和损耗正切。晶格常数为3.792埃,与1-2-3的a轴晶格匹配在1％以内。...
[期刊论文] 作者：张甫权,
来源：真空电子技术 年份：1989
用钇、钡、铜的硝酸盐水溶液喷涂在氧化锆单晶基片上,已制备了零电阻温度为83.4K 的 YBa_2Cu_3O_(7-δ)超导薄膜。文中给出了 XRD、SEM 图和电阻温度曲线,并对结果进行了讨论...
[期刊论文] 作者：李庠,张甫权,
来源：硅酸盐通报 年份：1989
本文介绍了硝酸盐水溶液的化学液相喷涂法制备超导薄膜的工艺过程,对工艺参数的选择进行了研究。得到了T_c=84.8K的超导薄膜,X-射线衍射分析表明,薄膜具有良好的单相性,C-轴...
[会议论文] 作者：李庠,刘联宝,张甫权,
来源：第三次全国功能陶瓷学术会议 年份：1990
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[期刊论文] 作者：张甫权,李庠,潘萍,薛瑞君,
来源：电子学报 年份：1992
用长脉冲激光(脉冲宽度150μs,波长1.06μm)辐照高温烧结的YBa_2Cu_3O_(7-x)靶,在6Pa的氧气压强下,巳在(100)YSZ单晶衬底上原位生成YBa_2Cu_(?)O_(7-x)超导膜。衬底置于750℃...
[期刊论文] 作者：李庠,张甫权,彭自安,刘联宝,,
来源：硅酸盐通报 年份：1989
本文介绍了硝酸盐水溶液的化学液相喷涂法制备超导薄膜的工艺过程,对工艺参数的选择进行了研究。得到了T_c=84.8K的超导薄膜,X-射线衍射分析表明,薄膜具有良好的单相性,C-轴...
[会议论文] 作者：张甫权,冯进军,丁素广,彭自安,李兴辉,
来源：第七届中国真空微电子学与场致发射学术年会 年份：1999
本文介绍了激光沉积非晶碳膜电子场发射特性研究的结果。...
[期刊论文] 作者：陈长青,丁明清,李兴辉,白国栋,张甫权,冯进军,,
来源：真空科学与技术学报 年份：2010
通过普通的紫外（UV）光刻工艺，结合“变倾角缩口”新技术，研制了不同发射单元尺寸的碳纳米管（CNTs）阵列阴极。扫瞄电镜分析表明，随着缩口尺寸的依次减小（从0．6μm到0．4μm，最后到0．2μm），发......
[会议论文] 作者：陈长青;丁明清;李兴辉;白国栋;张甫权;冯进军;,
来源：中国电子学会真空电子学分会第十六届学术年会暨军用微波管研讨会 年份：2007
为了降低直立碳纳米管阵列阴极的电场屏蔽效应，本研究通过普通紫外曝光技术结合侧向沉积收口工艺,研制了发射单元的底部直径分别为1微米、0.6微米、0.4微米和0.2微米的无栅型...
[会议论文] 作者：陈长青,丁明清,冯进军,白国栋,张甫权,李兴辉,
来源：中国电子学会真空电子学分会第十七届学术年会暨军用微波管研讨会 年份：2009
本文介绍了单根定向碳纳米管阵列阴极的结构设计与屏蔽效应的模拟。模拟结果表明，对于固定高度h和直径的单根碳纳米管阵列阴极，当碳纳米管之间的间距d满足d≥2h时，电场屏蔽效应......
[会议论文] 作者：丁明清,李兴辉,白国栋,张甫权,李含雁,冯进军,
来源：第八届真空技术应用学术年会 年份：2005
本文重点介绍一种带集成栅极的碳纳米管场发射阴极(CNTFEA)的制造工艺.研制了两种类型的栅控CNTFEA.一种是在微孔的底部生长CNT,另一种则是在孔底部预先沉积的M尖上制备CNT发...
[期刊论文] 作者：李含雁,丁明清,冯进军,李兴辉,张甫权,白国栋,
来源：真空电子技术 年份：2006
对Spin＆阵列阴极表面涂敷ZrC薄膜后的发射性能进行了研究。本实验采用原位沉积的方法实现ZrC薄膜的涂敷，所谓原位沉积就是在沉积完Mo尖锥后，立刻沉积ZrC薄膜，其中，ZrC厚度为5～10nm......
[期刊论文] 作者：李兴辉,冯进军,白国栋,丁明清,张甫权,廖复疆,
来源：液晶与显示 年份：2004
在利用微细加工技术和双向薄膜沉积工艺制得的钼尖锥场致发射阵列阴极进行实用化的过程中，目前存在的两个主要障碍是，阴极发射电流密度低和工作不稳定。通过对阴极发射失效机理......
[期刊论文] 作者：陈长青,丁明清,李兴辉,白国栋,张甫权,冯进军,邵文生,,
来源：真空科学与技术学报 年份：2007
本文介绍了一种微图形化碳纳米管场发射阵列冷阴极,每个图形的直径仅为1μm,构成一个发射单元。制作工艺如下：首先在硅（100）基片上沉积氮化钛缓冲层,然后采用曝光工艺获得直径为......
[期刊论文] 作者：冯进军,丁明清,张甫权,李兴辉,白国栋,彭自安,廖复疆,
来源：液晶与显示 年份：2002
利用微细加工技术和双向薄膜沉积技术对钼尖场发射阵列阴极的工艺进行了较为细致的研究,并在专用的真空系统中对所得阵列阴极的发射性能进行了测试,得到了一定的场致发射电流...
[会议论文] 作者：冯进军,丁明清,张甫权,李兴辉,白国栋,彭自安,廖复疆,
来源：第八届中国场致发射与真空微电子学学术会议 年份：2001
本文利用微细加工技术和双向薄膜沉积技术对钼场发射阵列阴极的工艺进行了较为细致的研究,在真空系统中对所得到阵列阴极的发射性能进行了测试,得到了一定的场致发射电流密度值,对发射稳定性和失效机理进行了实验研究和分析,为进一步开展应用研究打下了一定基础......
[会议论文] 作者：丁明清;邵文生;陈长青;李兴辉;白国栋;张甫权;李含雁;冯进军;,
来源：第九届真空技术应用学术年会 年份：2006
利用集成栅控CNT场发射阵列阴极的制造技术,研制了一种生长在Mo尖上的单根CNT场发射阵列阴极.高分辨率扫描电子显微镜照片表明,在一个11000发射单元的阵列中,大约50-70﹪的发射...
[会议论文] 作者：张甫权,彭自安,朱宝华,王亦曼,冯进军,丁素广,李兴辉,
来源：第七届中国真空微电子学与场致发射学术年会 年份：1999
用脉冲激光沉积法已在单个钼尖锥发射体和蓝宝石衬度上生成场发射体碳膜。对沉积在单个钼尖锥上的碳膜进行了电流-电压特性测量，并与未涂碳膜的单个钼尖锥发射体的场发射进行......
[期刊论文] 作者：杜英华,杨崇峰,廖复疆,李炳炎,李兴辉,白国栋,张甫权,丁明,
来源：真空电子技术 年份：2003
给出了场发射阵列阴极的发展概况和制造方法,讨论了采用场发射阵列阴极作为行波管电子源的可能性和电子枪设计的有关问题,对采用场发射阵列阴极的行波管进行了介绍和评论....
[期刊论文] 作者：杜英华,杨崇峰,廖复疆,李炳炎,李兴辉,白国栋,张甫权,丁明清,
来源：真空电子技术 年份：2003
给出了场发射阵列阴极的发展概况和制造方法 ,讨论了采用场发射阵列阴极作为行波管电子源的可能性和电子枪设计的有关问题 ,对采用场发射阵列阴极的行波管进行了介绍和评论...
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