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[期刊论文] 作者：张积之,
来源：电子产品可靠性与环境试验 年份：1995
本文讨论了ＭＯＳ结构的二氧化硅膜中电子热化现象的实验证据，表明：当氧化物电场≥５ＭＶ／ｃｍ时，注入到二氧化硅膜中的电子逐渐地热化，热电子在二氧化硅膜中产生新的电荷陷阱中心，当电荷陷阱中心的......
[期刊论文] 作者：张积之,
来源：上海半导体 年份：1992
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[期刊论文] 作者：张积之,
来源：上海铁道学院学报 年份：1991
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[会议论文] 作者：张积之,
来源：中国电子学会电子产品可靠性与质量管理学会第四届学术年会 年份：1987
该文初步综述了近年来关于MOS结构热生长SiO[*v2*]膜中电荷陷阱的实验方法和结果。作者推广了Meyer和Crook的结果，并且提出一个简单的体内电荷陷阱导致本征击穿的物理模型。根...
[会议论文] 作者：张积之,
来源：中国电子学会电子产品可靠性与质量管理分会第六届学术年会 年份：1992
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[期刊论文] 作者：朱培豫,张积之,,
来源：物理教学 年份：1980
背景1820年,奥斯忒(Hans Christian Oersted,1777—1851年)发现,放在载流导线附近的罗盘磁针会受到力的作用而发生偏转。这一发现很快地传遍了欧洲,并为其他物理学家所证实...
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