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[学位论文] 作者：彭长四,
来源：中国科学院物理研究所 年份：1998
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[会议论文] 作者：彭长四,
来源：2021光电子材料与器件发展论坛 年份：2021
纳米材料制造的传统方法涉及自上而下的光刻图形化和/或自下而上的自组装。但是，这些方法有他们的局限性：(1)将光刻图形化转移到材料所需的蚀刻过程在原子尺度上引发的晶格破坏和化学污染，是永远不能完全去除的。......
[会议论文] 作者：彭长四,
来源：2019第二届光电材料与器件战略论坛 年份：2019
通过克服传统的自上而下和自下而上纳米结构和纳米光刻的主要限制。通过将干涉图形化的简单性、诱导光刻和自组装的优点相结合，我们开启了一个全新的工艺，用于生长或刻蚀具有精确尺寸、形状和组成的纳米结构的密集阵列。......
[期刊论文] 作者：肖剑飞,封松林,彭长四,
来源：红外与毫米波学报 年份：1997
用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究退火及离子注入对分子束外延生长的ＧｅＳｉ／Ｓｉ应变超晶格性质的影响，观察到３个与位错有关的深中心和１个表层内的深中心，退火和离子注入都使得这些深中心的浓度增加数倍，说......
[期刊论文] 作者：肖剑飞,封松林,彭长四,
来源：红外与毫米波学报 年份：1997
利用深能级瞬态谱研究分子束外延ｎ－Ｇｅ０．２Ｓｉ０．８／Ｓｉ应变超晶格，观察到两个与位错有关的深中心，其中一个能级位置在Ｅｃ＝０．４２ｅＶ，另一个随着偏压变化而发生明显的移动，深能级位置从Ｅｃ＝０．２１ｅＶ变化到Ｅｃ＝０．２７６ｅＶ，我们认为是内应力引起的......
[会议论文] 作者：彭长四,黄绮,周均铭,
来源：第五届全国分子束外延学术会议 年份：1999
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[期刊论文] 作者：董磊, 丁梦, 王成刚, 彭长四,,
来源：功能材料 年份：2018
利用电化学法在碳布衬底上制备出尺寸均匀、重复性好的ZnO纳米棒、NiO纳米片及NiO@ZnO纳米复合物,利用扫描电子显微镜,X射线衍射对材料的形貌与晶体结构进行表征。对材料进行...
[会议论文] 作者：黄绮,陈弘,彭长四,周均铭,
来源：第五届全国分子束外延学术会议 年份：1999
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[期刊论文] 作者：张伟,刘维萍,顾小勇,谈春雷,彭长四,,
来源：强激光与粒子束 年份：2011
利用电磁理论,研究了多光束激光干涉图样的产生原理,结合计算机数值模拟和相关实验结果,分析了干涉图样的影响因素。研究结果表明：多光束激光干涉图样可以看成是多组余弦分布...
[期刊论文] 作者：李科,杨茹,李国辉,彭长四,李永康,
来源：北京师范大学学报(自然科学版) 年份：2002
为了克服Ge雪崩光电二极管(APD)中因Ge的电子与空穴的碰撞离化系数相差不大带来的的较大噪声的缺点,拟研制一种新的器件--Ge/Si的吸收倍增分离雪崩光电二极管(SAM-APD). 先在...
[期刊论文] 作者：霍大云,石震武,张伟,唐沈立,彭长四,,
来源：物理学报 年份：2017
InGaAs/AlGaAs量子阱是中波量子阱红外探测器件最常用的材料体系,本文以结构为2.4 nm In0.35Ga0.65As/40 nm Al0.34Ga0.66As的多量子阱材料为研究对象,利用分子束外延生长,固...
[期刊论文] 作者：张伟,石震武,霍大云,郭小祥,彭长四,
来源：物理学报 年份：2016
在InAs/GaAs（001）量子点生长过程中,当In As沉积量为0.9 ML时,利用紫外纳秒脉冲激光辐照浸润层表面,由于高温下In原子的不稳定性,激光诱导的原子脱附效应被放大,样品表面出现了...
[会议论文] 作者：彭长四,石震武,庄思怡,耿彪,祁秋月,
来源：2020第三届光电材料与器件发展研讨会 年份：2020
纳米材料制造的传统方法涉及自上而下的光刻图形化和(或)自下而上的自组装。(1)将光刻图形化转移到材料所需的蚀刻过程在原子尺度上引发的晶格破坏和化学污染，是永远不能完全去除的。因此，在晶圆外延质量级别上说，光刻图形化之后的再生界面严重受损，缺陷水平比实际......
[会议论文] 作者：陈弘,李永康,彭长四,刘洪飞,黄绮,周均铭,
来源：第六届全国分子束外延学术会议 年份：2001
本文研究了Si(001)衬底上GeSi外延膜的粗糙表面形貌,提出了一种新的粗糙表面形貌的形成机制,弥补了目前存在模型的不足....
[会议论文] 作者：彭长四,石震武,霍大云,邓长威,陈晨,杨琳韵,
来源：第十二届全国分子束外延学术会议 年份：2017
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[期刊论文] 作者：霍大云,石震武,徐超,邓长威,陈晨,张伟,陈林森,彭长四,,
来源：科学通报 年份：2017
在液滴外延生长过程中金属液滴承担着生长前驱体的角色,直接决定着后续量子环、量子点、纳米线等量子结构的密度、尺寸、位置等参数.本文开展了在MBE(molecular beam epitaxy...
[期刊论文] 作者：霍大云,石震武,徐超,邓长威,陈晨,陈林森,王文新,彭长四,
来源：发光学报 年份：2017
InGaAsN/GaAs量子阱中进行铍（Be）元素重掺杂能显著提高其光学性质,并且发光波长发生了红移.X射线衍射摇摆曲线清楚地证实了铍掺杂抑制了InGaAsN（Be）/GaAs量子阱在退火过程中的应...
[期刊论文] 作者：霍大云,石震武,徐超,邓长威,陈晨,陈林森,王文新,彭长四,,
来源：发光学报 年份：2017
InGaAsN/GaAs量子阱中进行铍(Be)元素重掺杂能显著提高其光学性质,并且发光波长发生了红移。X射线衍射摇摆曲线清楚地证实了铍掺杂抑制了InGaAsN(Be)/GaAs量子阱在退火过程中...
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