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[学位论文] 作者：徐剑芳,
来源：厦门大学 年份：2006
现代通信技术的迅速发展，使得传统Si双极型晶体管已经不能够满足市场的需求，亟需造价低而高频特性好的新型器件。SiGe异质结双极晶体管（HBT）具有高频、大功率、低成本等特点，使其......
[期刊论文] 作者：周海光,徐剑芳,
来源：光电子·激光 年份：
本文提出利用激光双光束干涉方法研究地球潮的变化，对其测量原理和测量精度作了分析、讨论。通过对干涉条纹进行调制并计数，在激光波长为０．６３μｍ时，对２５ｍ的测量精度可达１／１００干涉级次（０．００６μｍ）。因此，在隧道中用这个方法可测地球潮。......
[期刊论文] 作者：张志英,徐剑芳,
来源：工业锅炉 年份：2000
介绍了常压立式油炉参数化ＣＡＤ软件的研制方法。实践表明，该软件能确保锅炉设计热效率，优化产品设计结构，减少设计工作量，缩短设计周期，为产品适应市场需求提供了有效快捷的手段。......
[期刊论文] 作者：徐剑芳,智瑞敏,
来源：工业锅炉 年份：2002
介绍了锅炉内间接换热面中对传热系数k的影响因素和k值的大致应用范围，以及锅内间接换热面在锅炉设计和应用中的一些情况。...
[会议论文] 作者：周海光,徐剑芳,
来源：中国地震学会第七次学术大会 年份：1998
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[期刊论文] 作者：徐剑芳, 李成, 赖虹凯,,
来源：微电子学 年份：2005
文章论述了SiGe异质结双极晶体管(HBT)在微波功率领域应用的优势,详细介绍了微波功率SiGe HBT的结构设计方法,以及主要影响器件性能的材料和结构因素,评述了其最新进展及今后...
[期刊论文] 作者：徐剑芳,赖虹凯,李成,
来源：光散射学报 年份：2004
随着晶体管尺寸的日益缩小,不良热效应成为晶体管失效重要原因之一.现有的检测器件热分布的手段的空间分辨率较低,不能原位直观地获得这些尺寸越来越小的晶体管的工作过程中...
[期刊论文] 作者：张志英,鲁嘉华,徐剑芳,
来源：工业锅炉 年份：2000
介绍了常压立式油炉参数化 CAD软件的研制方法。实践表明 ,该软件能确保锅炉设计热效率 ,优化产品设计结构 ,减少设计工作量 ,缩短设计周期 ,为产品适应市场需求提供了有效快...
[期刊论文] 作者：周海光,陈书潮,徐剑芳,
来源：光电子·激光 年份：1999
利用光自聚焦和Ｆ－Ｐ腔两种手段，对ＥＢＢＡ液晶进行了光学双稳态研究。实验是在６０μｍ液晶薄膜中采用连续Ａｒ＋激光器进行，确定出温度与光学双稳态和多级光学双稳态回线的关系，讨论了ＥＢＢＡ液晶在固态相和液......
[会议论文] 作者：洪海洋,李成,陈松岩,黄巍,徐剑芳,
来源：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会 年份：2017
在原子层沉积系统中采用远程氧等离子体原位预处理Ge表面生成一层高GeO2含量的GeOx钝化层,随后沉积0.5nm氧化铝和3nm氧化铪高k介质最后制备成MOS电容结构.氧等离子体预处理时间越长,GeOx钝化层中的GeO2含量越高,有利于界面态的降低;达到1分钟后,界面质量达到最......
[期刊论文] 作者：胡美娇,李成,徐剑芳,赖虹凯,陈松岩,,
来源：物理学报 年份：2011
采用超高真空化学气相淀积系统在SOI(绝缘体上硅)衬底上生长了Si0.82Ge0.18外延层,通过循环氧化/退火工艺,制备出Ge组分从0.24到1的绝缘体上锗硅(SGOI)材料.采用高分辨透射电...
[会议论文] 作者：张璐,王一森,李成,陈松岩,黄巍,徐剑芳,
来源：第十一届全国硅基光电子材料及器件研讨会 年份：2016
采用磁控溅射的方法在Si(100)衬底上生长出高Sn 组分(＜0.2)非晶GeSn薄膜，在快速热退火处理后结晶为多晶GeSn 薄膜.GeSn 合金中的Sn 组分越高，结晶温度相应会下降，并且较低温度的热退火处理可以减少Sn 偏析，有利于结晶质量的提高.......
[会议论文] 作者：黄志伟,毛亦琛,李成,陈松岩,黄巍,徐剑芳,
来源：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会 年份：2017
锗(Ge)材料因其较高的载流子迁移率以及与硅工艺兼容的性质成为下一代高性能集成电路半导体MOSFE器件沟道的首选替代材料.然而由于金属与n-Ge接触界面存在强烈的费米能级钉扎效应,使得金属与n-Ge接触势垒很高,接触电阻较大,影响器件性能的提高.在金属和n-Ge之间......
[期刊论文] 作者：刘宇,余珏,黄巍,李俊,汪建元,徐剑芳,李成,陈松岩,,
来源：厦门大学学报(自然科学版) 年份：2017
以等离子体增强原子层沉积（PE-ALD）技术生长氮氧化铝（AlNxOy）薄膜,磁控溅射Ag上电极制备结构为Ag/AlNxOy/Pt的阻变存储器（RRAM）.器件呈现双极性阻变特性,正向开启电压稳定且分布窄,......
[会议论文] 作者：李成,胡美娇,卢卫芳,蔡坤煌,张永,徐剑芳,黄巍,赖虹凯,陈松岩,
来源：第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2011
基于氧化SOI基SiGe过程中硅被选择性氧化，而锗被排斥浓缩在氧化层之间，制备出不同组份SGOI和超薄GOI材料，优化设计了氧化和退火过程，对锗浓缩法形成的SGOI(GOI)材料结构、锗...
High-performance germanium n~+/p junction by nickel-induced dopant activation of implanted phosphoru
[期刊论文] 作者：黄巍,陆超,余珏,魏江镔,陈超文,汪建元,徐剑芳,王尘,李成,陈松岩,刘春莉,赖虹凯,,
来源：Chinese Physics B 年份：2016
High-performance Ge n~+/p junctions were fabricated at a low formation temperature from 325℃ to 400℃ with a metal(nickel)-induced dopant activation technique....
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