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[期刊论文] 作者：徐寿定,李瑞云,
来源：半导体学报 年份：1983
用Van der Pauw法测量高纯VPE-GaAs和LPE-GaAs样品在20—300K温度范围内的电学性质,分析了它们的电子散射机理.最纯的VPE-GaAs样品峰值迁移率高达3.76×105cm2/V·s,...
[会议论文] 作者：徐寿定,万寿科,
来源：中国有色金属学会1993年砷化镓及有关化合物会议 年份：1993
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[会议论文] 作者：张砚华,徐寿定,
来源：第五届全国固体薄膜学术会议 年份：1996
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[会议论文] 作者：徐寿定,孙明方,
来源：第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议 年份：1996
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[会议论文] 作者：徐寿定,张砚华,
来源：第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议 年份：1996
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[期刊论文] 作者：于鲲,孟庆惠,李永康,吴灵犀,陈廷杰,徐寿定,
来源：半导体学报 年份：1981
砷化镓、磷化铟等Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体已广泛应用于微波、光电等器件中.为了提高材料质量,我们建立了灵敏、非破坏性的检测手段——低温光致发光.它还适合于微区和薄膜的研究...
[期刊论文] 作者：陈廷杰,吴灵犀,徐寿定,孟庆惠,于鯤,李永康,
来源：发光与显示 年份：2004
本文用光致发光法(4.2°K和1.8°K)研究高纯度LPE—GaAs和VPE—GaAs的剩余受主杂质。实验结果表明,高纯LPE—CaAs的剩余受主杂质为C、Si、Ge,而在AsCl_3—Ga—H_2系统中生长...
[期刊论文] 作者：王占国,石志文,徐寿定,傅建明,林兰英,
来源：半导体学报 年份：1988
用多种实验手段分别对地面和太空生长的掺Te砷化镓单晶的电学、光学均匀性和深能级行为进行了实验研究.初步结果表明:在太空进行再生长的GaAs单晶电子浓度比原地面生长的籽晶...
[期刊论文] 作者：孟庆惠,于鲲,李永康,许振嘉,陈廷杰,吴灵犀,徐寿定,
来源：半导体学报 年份：1983
本文介绍了用液氮温度光荧光谱测定硅中磷、硼含量的方法.磷、硼浓度的校准曲线由变温霍耳系数的实验结果所确定....
[期刊论文] 作者：王占国,戴元筠,徐寿定,杨锡权,万寿科,孙虹,林兰英,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1991
本文利用多种实验手段,包括OTCS,DLTS,低温PL等,对影响LEC SI-GaAs单晶电学性质热不稳定的可能因素进行了系统研究.在仔细分析对比文献发表的实验结果的基础上,提出了普遍成...
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