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[学位论文] 作者：徐斯元,,
来源：西安电子科技大学 年份：2015
采用高迁移率沟道材料,是提高MOSFETs器件性能、延续摩尔定律的重要手段之一。锗(Ge)和应变Ge材料比传统硅(Si)材料具有更高的载流子迁移率,且与标准的Si CMOS工艺高度兼容。...
[会议论文] 作者：徐斯元,戴显英,杨程,郝跃,
来源：第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2014
基于k·p微扰理论,通过引入应变哈密顿量作为微扰,建立了适于任意晶向的双轴应变Ge价带色散关系模型.计算结果表明,应变Ge/Si1-xGex价带带边空穴有效质量随Ge组分的增加而减...
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