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[期刊论文] 作者：刘林林,李尊朝,尤一龙,徐进朋,,
来源：西安交通大学学报 年份：2011
针对深亚微米围栅金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）的短沟道效应随沟道长度减小而愈加明显，以及移动电荷在器件强反型区对表面势影响显著的问题，提出了一种全耗尽围栅MOSFET二维......
[期刊论文] 作者：尤一龙,李尊朝,刘林林,徐进朋,,
来源：西安交通大学学报 年份：2010
针对深亚微米金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）多晶硅耗尽效应加剧问题，提出了一种全耗尽圆柱形围栅MOSFET阈值电压解析模型．通过求解多晶硅耗尽层电势泊松方程，得到多晶硅耗尽层......
[期刊论文] 作者：徐进朋,尤一龙,李尊朝,刘林林,,
来源：西安交通大学学报 年份：2010
针对深亚微米级围栅金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）处于堆积或反型时自由载流子对表面势影响显著的问题,提出了一种全耗尽圆柱形围栅MOSFET表面势和电流解析模型.考虑耗尽电...
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