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针对深亚微米金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）多晶硅耗尽效应加剧问题，提出了一种全耗尽圆柱形围栅MOSFET阈值电压解析模型．通过求解多晶硅耗尽层电势泊松方程，得到多晶硅耗尽层上的压降，用以修正沟道区的通用边界条件．然后利用叠加原理求解沟道二维电势泊松方程，建立了圆柱形围栅MOSFET的表面势和阈值电压解析模型，并利用器件数值仿真软件Sentaurus对解析模型进行了验证．研究结果表明，衬底掺杂原子浓度越高，或多晶硅掺杂原子浓度越低，多晶硅耗尽层上的压降就越大，阈值电压偏移也越显著．与现有模型相比，