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[会议论文] 作者：郭天雷,韩郑生,张正选,张恩霞,愈文杰,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
本文提出利用电阻加固的SRAM单元,采用去耦电阻加固单元时,应该注意去耦电阻随工艺加工和温度的变化,进而在设计中给予充分的考虑.通过对单元的仿真,可以估算去耦电阻的阻值....
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