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[学位论文] 作者：戴慧莹,,
来源：西安理工大学 年份：2008
半绝缘GaAs光电导开关是利用脉冲激光器与半绝缘GaAs相结合组成的一类新型超快光电器件。与传统开关相比,半导体光电导开关具有触发无晃动、寄生电感电容小、上升时间快、关...
[期刊论文] 作者：戴慧莹,,
来源：半导体光电 年份：2010
实验测试了触发光脉冲对光电导开关响应速度的影响;建立了满足光导开关触发光脉冲参量的光生载流子速率方程,并模拟出光生载流子浓度随触发光脉冲、脉冲宽度的变化规律,分析...
[期刊论文] 作者：靳涛,戴慧莹,
来源：辐射研究与辐射工艺学报 年份：1998
用自制自由空气电离室，在能量为２－１２ｋｅＶ同步辐射光束线现场测量了单能Ｘ射线的电离量，依据Ｘ射线在空气中的传输和衰减特性及能量转移系数，计算了电离室入射口的照射剂量值。进而求出在空气......
[期刊论文] 作者：牛俊明,戴慧莹,
来源：西安公路交通大学学报 年份：1998
通过对排水性沥青抗滑层混合料的导热性能进行试验研究和分析，回归出孔隙率与导热系数关系曲线。...
[期刊论文] 作者：傅振堂,戴慧莹,
来源：空军电讯工程学院学报 年份：1997
用两种解析方法给出了共轴圆形电流之间相互作用力所遵循的规律，并对其进行了讨论。...
[期刊论文] 作者：戴慧莹,付振堂,
来源：空军电讯工程学院学报 年份：1996
从电力线方程和等势面方向出发对静电场中电偶极子的场分布进行了讨论。...
[期刊论文] 作者：戴慧莹,靳涛,等,
来源：核技术 年份：2000
用两组能量围绕P和InK层结合能上下的同步辐射单色X光对InP单晶[100]表面进行辐照。结果表明，无论X光子被P原子K壳层吸收还是被In原子K壳层吸收，InP单晶[100]表面P原子芯能级2P...
[期刊论文] 作者：向珊,戴慧莹,施卫,
来源：半导体技术 年份：2004
通过波长为1064 nm的重频激光光脉冲触发半绝缘GaAs光导开关损伤测试实验,观察脉冲激光触发过程中光电导开关电阻率的变化,对比低重频(＜1 kHz)和高重频的激光脉冲对GaAs光电导...
[期刊论文] 作者：戴慧莹,向珊,施卫,,
来源：半导体光电 年份：2010
报道了在高偏置电压下半绝缘GaAs光导开关进入非线性模式并产生光电延迟的实验结果。分析了非线性模式下光电延迟现象,指出半导体材料深能级杂质的俘获作用是产生光电延迟的...
[期刊论文] 作者：戴慧莹,马德明,施卫,,
来源：西安理工大学学报 年份：2007
用1064nm激光脉冲触发半绝缘GaAs光导开关，对线性模式输出超短电脉冲响应特性进行了测试，并对所测试的实验结果进行理论分析。分别给出了在偏置电压和触发光能一定的条件下，超短......
[期刊论文] 作者：施卫,戴慧莹,张显斌,
来源：半导体学报 年份：2005
报道了用1064nm激光脉冲触发半绝缘GaAs光电导开关的一种奇特光电导现象．GaAs光电导开关的电极间隙为4mm，当偏置电场分别为2．0和6．0kV／cm时，用脉冲能量为0．8mJ，宽度为5ns的激光触发开......
[期刊论文] 作者：施卫,戴慧莹,孙小卫,
来源：Chinese Optics Letters 年份：2003
We report our experimental observation of charge domain oscillation in semi-insulating GaAs photocon-ductive semiconductor switches (PCSSs). The high-gain PCSS...
[期刊论文] 作者：施卫,戴慧莹,张显斌,
来源：半导体学报 年份：2005
报道了用1064nm激光脉冲触发半绝缘GaAs光电导开关的一种奇特光电导现象.GaAs光电导开关的电极间隙为4mm,当偏置电场分别为2 0和6 0kV/cm时,用脉冲能量为0 8mJ,宽度为5ns的激...
[期刊论文] 作者：戴慧莹,靳涛,崔明启,黎刚,
来源：核技术 年份：2000
用两组能量围绕Ｐ和ＩｎＫ壳层结合能上下的同步辐射单色Ｘ光对ＩｎＰ单晶［１００］表面进行辐照。结果表明，无论Ｘ光子被Ｐ原子Ｋ壳层吸收还是被Ｉｎ原子Ｋ壳层吸收，ＩｎＰ单晶［１００］表面Ｐ原子芯能级２Ｐ电子态变化明显。Ｐ和Ｉｎ原子Ｋ壳层Ｘ光......
[期刊论文] 作者：牛俊明,戴慧莹,赵平均,许永明,
来源：石油沥青 年份：1997
通过对排水性沥青抗滑层混合料的导热性能进行试验研究和分析，回归出孔隙率与导热系数关系曲线，对分析和研究排水性沥青抗滑层混合料的力学特性有很大的帮助...
[期刊论文] 作者：侯军燕,戴慧莹,施卫,董秋霞,,
来源：半导体技术 年份：2006
从量子力学的微扰理论入手，总结并比较了半绝缘GaAs光电导开关中主要的散射机制的散射率表达式和散射终态，给出了所选择的散射机制下的模拟结果及其分析。...
[期刊论文] 作者：吴钰,屈绍波,戴慧莹,张介秋,,
来源：通信技术 年份：2008
提出了一种新型的基于复合左右手(CRLH)结构的微带天线,其结构单元绕天线贴片中心周期排列。讨论了天线各结构参数的变化对天线辐射特性的影响,并对其进行了全波仿真和优化,...
[期刊论文] 作者：戴慧莹,李希阳,侯军燕,杨丽娜,,
来源：弹箭与制导学报 年份：2006
THz超宽带电磁波照射隐身目标时,由于其极宽的频谱,使得目标的吸波涂层及外形设计均失去作用,因此是反隐身的有力武器,基于半绝缘GaAs光导开关的THz源是目前实用性最高最有前...
[期刊论文] 作者：李希阳,戴慧莹,施卫,候军燕,杨丽娜,,
来源：大气与环境光学学报 年份：2006
为了进一步理解光导开关非线性工作模式机理,通过实验以及理论研究方法,研究了半绝缘GaAs光导开关工作于非线性模式下在不完全击穿前后暗态阻值的变化,认为击穿阶段和锁定阶...
[期刊论文] 作者：杨志安,靳涛,杨祖慎,姚育娟,罗尹虹,戴慧莹,
来源：强激光与粒子束 年份：2002
利用强脉冲 X射线对 Si-Si O2 界面进行了辐照 ,测量了 C-V曲线和 I-V曲线。实验发现 ,经过强脉冲 X射线对 Si-Si O2 界面进行的辐照 ,使 C-V曲线产生了正向漂移 ,这一点与低...
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