搜索筛选:
搜索耗时1.0951秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 44 篇相符的论文内容
发布年度:
[会议论文] 作者：向伟,戴晶怡,
来源：2006全国荷电粒子源、粒子束学术会议 年份：2006
用三维程序KOBRA3-INP对密封充气式中子管中潘宁离子源引出束流特性进行了数值模拟研究.给出了中子管加速间隙及离子源内部的电场分布、引出束流轨迹及空间电荷分布;讨论了空...
[期刊论文] 作者：程亮,戴晶怡,梅林,,
来源：原子能科学技术 年份：2008
利用241^Am—Be中子源对长计数器的探测效率进行相对标定，并采用伴随粒子法测定5．1MeV与14MeV中子间的能量转换系数。同时，利用蒙特卡罗方法对长计数器探测效率及其相应的能量转...
[期刊论文] 作者：封向东,戴晶怡,等,
来源：金属热处理 年份：2002
形状记忆合金作为双驱动元件时通常是与一偏压元件同时使用来实现双程驱动。本文通过不同热处理制度对TiNi形状记忆合金的弹簧相变点和形状恢复率的影响以及训练次数对形状恢...
[期刊论文] 作者：金大志, 戴晶怡, 杨中海,,
来源：强激光与粒子束 年份：2008
等离子体离子源发射面的位置和形状决定了离子束的传输特性，而发射面的位置与形状又取决于等离子体参数、引出电压、电极结构等，并自动地调节到某个平衡状态。介绍了一种2维情......
[期刊论文] 作者：金大志,戴晶怡,杨中海,,
来源：真空电子技术 年份：2008
特种高压器件主要由离子源、加速系统、靶子等组成，是一种微型加速器。特种高压器件的离子光学系统对特种高压器件的特性影响很大，因此离子光学系统的计算对于特种高压器件的设......
[期刊论文] 作者：金大志,杨中海,戴晶怡,,
来源：电子科技大学学报 年份：2009
讨论了密封中子发生器中二次电子流的产生机制，介绍了几种不同的二次电子流的抑制方法。针对不同的抑制方法进行了粒子模拟实验，结果表明，在直接利用法拉第圆筒形状的加速电极抑......
[会议论文] 作者：向伟,戴晶怡,方仁昌,
来源：全国薄膜学术讨论会 年份：1999
...
[期刊论文] 作者：唐平瀛,丁伯南,戴晶怡,
来源：强激光与粒子束 年份：2003
从Maxwell方程组出发,推导了高频H型放电离子源放电空间的场分布, 并采用Mafia软件进行了三维实体建模,计算了高频离子源放电击穿前和稳定工作后的电磁场分布,得到了高频离子...
[会议论文] 作者：唐平瀛,戴晶怡,谈效华,
来源：2006全国荷电粒子源、粒子束学术会议 年份：2006
将石英薄片用于真空弧离子源的绝缘介质,是一次创新性的尝试.文中对石英片的物理性质和击穿特性进行了研究,采用金相显微镜观察了阴极斑附近和远区的微观图像,对使用不同绝缘...
[会议论文] 作者：金大志,石磊,戴晶怡,杨中海,
来源：2006全国荷电粒子源、粒子束学术会议 年份：2006
中子发生器主要由离子源、加速系统和靶等组成.当D+离子束轰击靶时,产生中子的同时,在靶面也产生二次电子,形成二次电子流,导致电源负荷加重,靶压下降,从而影响中子产额,因此...
[期刊论文] 作者：金大志,谈效华,戴晶怡,杨中海,,
来源：原子核物理评论 年份：2006
对中子检测隐藏爆炸物技术的基本原理作了较详细的介绍,对几种不同的检测方法进行了比较,分析了当前国内外的研究现状,并指出了未来的发展方向。...
[期刊论文] 作者：封向东,王治国,祖小涛,戴晶怡,
来源：稀有金属材料与工程 年份：2003
对TiNi形状记忆合金N+离子注入后进行了XRD分析以及XPS分析.N+离子注入的能量为75keV,束流为16.3μA/cm2,注量分别为3×1017N+cm-2和8×1017N+cm-2,注入过程中温度低...
[会议论文] 作者：金大志[1]戴晶怡[2]杨中海[3],
来源：第二届全国信息与电子工程学术交流会暨第十三届四川省电子学会曙光分会学术年会 年份：2006
特种高压器件主要由离子源、加速系统、靶子等组成,是一种微型加速器.特种高压器件的离子光学系统对特种高压器件的寿命等特性影响很大,因此离子光学系统的计算对于特种高压...
[期刊论文] 作者：金大志,杨中海,肖坤祥,戴晶怡,,
来源：Plasma Science and Technology 年份：2009
Parameters of hydrogen plasma in a miniature Penning discharge ion source,in-eluding the electron temperature and the electron density,were measured by using d...
[会议论文] 作者：向伟,赵渭江,颜莎,戴晶怡,
来源：'2001全国荷电粒子源粒子束学术会议 年份：2001
本文基于阴极爆炸电子发射和电子对气体的碰撞电离模型,用PIC粒子模拟方法研究了单间隙气体放电的物理过程.给出了在1.33×10Pa氢气压和10kV放电电压下,单间隙气体放电过程中...
[会议论文] 作者：向伟,赵渭江,戴晶怡,颜莎,
来源：2001全国荷电粒子源粒子束学术会议 年份：2001
本文基于阴极爆炸电子发射和电子对气体的碰撞电离模型,用PIC粒子模拟方法研究了单间隙气体放电的物理过程.给出了在1.33×10Pa氢气压和10kV放电电压下,单间隙气体放电过程中阴极爆炸发射产生的电子和电子碰撞电离产生质子的动力学特性.计算结果也将有助我们对......
[期刊论文] 作者：唐平瀛,刘铁,丁伯南,戴晶怡,
来源：强激光与粒子束 年份：2003
采用发射光谱法研究了高频离子源的等离子体性质.该离子源应用于ZF-200keV中子发生器中,是一种电感耦合型无极环形放电高频离子源.实验采用绝对定标后的光学多道分析系统测定...
[期刊论文] 作者：唐平瀛,石磊,谈效华,戴晶怡,
来源：原子能科学技术 年份：2004
分析了真空弧氘离子源中杂质的主要构成,并着重分析了杂质氕的成因及其对氘离子源性能的影响.对单次脉冲和低重复频率脉冲工作状态下的真空弧氘离子源进行了光谱诊断实验和核...
[会议论文] 作者：唐平瀛,戴晶怡,谈效华,石磊,
来源：四川省电子学会高能电子学专业委员会第五届学术交流会 年份：2007
本文介绍了一种新型的多通道强流单次脉冲真空弧离子源。该离子源在工作时可以产生多个稳定的放电通道,与单一放电通道的真空弧离子源相比,在相同的大电流工作条件下,多通道真空弧离子源放电等离子体中的杂质成分更少,引出束流的品质更好,同时,离子源工作时的重......
[期刊论文] 作者：王治国,祖小涛,傅平,戴晶怡,封向东,
来源：功能材料 年份：2003
研究了热机械训练温度及定型处理温度对TiNiCu形状记忆舍金弹簧双向记忆效应的影响.研究结果表明:在纯马氏体状态进行训练时,双向记忆恢复率随训练次数的增加而增加,并在一定...
相关搜索：
