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[学位论文] 作者：戴隆贵,
来源：中国科学院大学 年份：2013
一维或零维半导体纳米材料相对于半导体体材料呈现出诸多优越的物理性能，制备尺寸均匀、分布规则的半导体纳米材料，并研究其优异的光电性能是目前半导体材料研究领域的一个前沿......
Fabrication of large-area nano-scale patterned sapphire substrate with laser interference lithograph
[期刊论文] 作者：禤铭东,戴隆贵,贾海强,陈弘,,
来源：Optoelectronics Letters 年份：2014
Periodic triangle truncated pyramid arrays are successfully fabricated on the sapphire substrate by a low-cost and high-efficiency laser interference lithograph...
[会议论文] 作者：杨帆,戴隆贵,乐艮,贾海强,何苗,陈弘,
来源：第十四届全国固体薄膜学术会议 年份：2014
目前制备纳米图形的方法主要有板紫外光刻、电子束光刻、聚焦离子束光刻、纳米压印、激光干涉光刻等.而激光干涉光刻相比其他光刻技术有着大面积、低成本、高效率等突出的特点,其利用两束光的干涉现象、形成明暗相见的条纹,并在光刻胶上记录下来,进而得到光刻图......
[期刊论文] 作者：李辉,何涛,戴隆贵,王小丽,王文新,陈弘,
来源：发光学报 年份：2011
利用气源分子束外延技术（MBE）制作了GeSi自组装量子点样品。利用原子力显微镜（AFM）和光致荧光（PL）光谱研究了该量子点的形貌和光学性质。气源MBE在较低温度下生长的量子点材料具有......
[期刊论文] 作者：戴隆贵,禤铭东,丁芃,贾海强,周均铭,陈弘,,
来源：物理学报 年份：2013
本文介绍了一种简单高效的制备硅纳米孔阵结构的方法.利用激光干涉光刻技术,结合干法和湿法刻蚀工艺,直接将光刻胶点阵刻蚀为硅纳米孔阵结构,省去了图形反转工艺中的金属蒸镀...
[会议论文] 作者：邓震,江洋,马紫光,王文新,戴隆贵,贾海强,陈弘,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
本报告介绍在InGaN/GaN MQWs LED中的一种新奇的波长和内量子效率关系.与传统结构相比,我们在生长每一层InGaN量子阱之前预沉积In原子.常温光致荧光谱(PL)显示随着预沉积时间的增加,LED波长向长波长方向移动;高分辨X射线衍射(HRXRD)数据表明新结构量子阱中的厚......
[期刊论文] 作者：何涛, 陈耀, 李辉, 戴隆贵, 王小丽, 徐培强, 王文新,
来源：发光学报 年份：2004
采用两步AlN缓冲层(一层低温AlN和一层高温AlN)在r面蓝宝石衬底上生长了非极性的a面GaN,并利用高分辨X射线衍射和光致荧光谱对所生长的材料进行了研究。两步AlN缓冲层在我们...
[会议论文] 作者：杨帆[1]戴隆贵[2]乐艮[2]贾海强[2]何苗[3]陈弘[2],
来源：第十四届全国固体薄膜学术会议 年份：2014
目前制备纳米图形的方法主要有板紫外光刻、电子束光刻、聚焦离子束光刻、纳米压印、激光干涉光刻等.而激光干涉光刻相比其他光刻技术有着大面积、低成本、高效率等突出...
[期刊论文] 作者：何涛, 陈耀, 李辉, 戴隆贵, 王小丽, 徐培强, 王文新,,
来源：发光学报 年份：2011
...
[会议论文] 作者：戴隆贵,杨帆,乐艮,江洋,王禄,马紫光,贾海强,王文新,陈弘,
来源：2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份：2014
低维半导体纳米材料能在三个维度上缩小器件的尺寸,并通过量子效应改善器件的光电特性,是今后半导体材料发展的主要趋势之一.高均匀周期性纳米结构可实现半导体材料及器...
[期刊论文] 作者：何涛,陈耀,李辉,戴隆贵,王小丽,徐培强,王文新,陈弘,
来源：发光学报 年份：2011
采用两步AlN缓冲层（一层低温AlN和一层高温AlN）在r面蓝宝石衬底上生长了非极性的a面GaN,并利用高分辨X射线衍射和光致荧光谱对所生长的材料进行了研究。两步AlN缓冲层在我们之...
[期刊论文] 作者：何涛,陈耀,李辉,戴隆贵,王小丽,徐培强,王文新,陈弘,
来源：发光学报 年份：2004
采用两步AlN缓冲层(一层低温AlN和一层高温AlN)在r面蓝宝石衬底上生长了非极性的α面GaN,并利用高分辨X射线衍射和光致荧光谱对所生长的材料进行了研究.两步AIN缓冲层在我们...
[期刊论文] 作者：何涛,陈耀,李辉,戴隆贵,王小丽,徐培强,王文新,陈弘,
来源：发光学报 年份：2011
采用两步AlN缓冲层(一层低温AlN和一层高温AlN)在r面蓝宝石衬底上生长了非极性的a面GaN, 并利用高分辨X射线衍射和光致荧光谱对所生长的材料进行了研究。两步AlN缓冲层在我们之前的工作中已被证明比单步高温AlN或低温GaN缓冲层更有利于减小材料各向异性和提高晶......
[会议论文] 作者：王巧,戴隆贵,刘宁炀,禤铭东,王君君,陈志涛,陈弘,贺龙飞,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
蓝宝石图形化衬底(PSS)技术在GaN基LED上已获得了广泛的应用,并于近年发展至纳米尺度,即蓝宝石纳米图形化衬底[1](NPSS)技术.NPSS技术被认为可以进一步降低外延薄膜的位错密度,并提高LED光提取效率,提升器件性能.对于NPSS技术而言,获得周期性排布、规则、小尺寸......
[会议论文] 作者：邓震,江洋,左朋,房育涛,马紫光,戴隆贵,贾海强,周均铭,陈弘,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
目前,InGaN基蓝光LED已经取得了飞速的发展,其在背光显示,交通灯,固态照明领域也得到了普遍的应用.但一直以来,由于Mg的并入效率和激活效率都比较低,因此获得高质量高空穴浓度的p-GaN层是一个难点,严重制约着InGaN基LED的向前发展.......
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