搜索筛选:
搜索耗时3.0917秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 3 篇相符的论文内容
发布年度:
[学位论文] 作者：户金豹,,
来源： 年份：2015
碳化硅(SiC)材料具有宽禁带、高热导率、高击穿电场、高载流子饱和漂移速度等优异特性,因此特别适合制作高压、高功率的半导体电力电子器件。4H-SiC MOSFET器件在功率转换、...
[会议论文] 作者：赵凯麟;户金豹;唐亚超;邓小川;,
来源：2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份：2014
本文主要研究对比了4H-SiC肖特基二极管(SBD)、4H-SiC结势垒肖特基二极管(JBS)和4H-SiC PiN二极管三种结构的静态和动态特性,同时分析了温度对三种碳化硅器件反向恢复特性的...
[期刊论文] 作者：户金豹,邓小川,申华军,杨谦,李诚瞻,刘可安,刘新宇,,
来源：真空科学与技术学报 年份：2015
为避免金属掩膜易引起的微掩膜,本文采用SiO2介质作为掩膜,SF6/O2/Ar作为刻蚀气体,利用感应耦合等离子体刻蚀(ICP)技术对4H-SiC trench MOSFET栅槽刻蚀工艺进行了研究。本文...
相关搜索：
