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[学位论文] 作者：房丽彬,
来源： 年份：2016
虽然Flash技术在当今半导体存储领域仍然占有很大市场,但是由于Flash技术高的操作电压(5V以上)、低的操作速度以及低的存储密度等缺点,使其无法满足未来使用要求而作为下一代存储器使用。目前,有基于不同原理的多种存储器被认为是可以取代Flash技术且可以满足未......
[期刊论文] 作者：郑林辉,朱俊,刘小辉,房丽彬,
来源：电子元件与材料 年份：2016
采用脉冲激光沉积法（PLD）,在Pt/Ti/SiO2/Si 衬底上制备LiNbO3 型ZnSnO3 薄膜.通过改变生长过程中的氧气压、生长温度等实验条件,研究制备薄膜的最佳工艺参数.利用X 射线衍射仪（X...
[期刊论文] 作者：刘小辉,朱俊,郑林辉,房丽彬,
来源：电子元件与材料 年份：2016
采用脉冲激光沉积法（PLD）在（001）SrTiO3基片上制备了基于 Pb（Zr0.52Ti0.48）O3/SrRuO3（PZT/SRO）的铁电隧穿结.利用多种表征手段测试并分析薄膜微观结构及电性能.结果表明：PZT 和 SRO 薄...
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